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一粒金砂(高级)

防反接很重要,这4个常用电路拿好! [复制链接]

 

对于平常日用的一些产品,产品在进行设计时就会考虑这个问题,顾客只是简单的利用插头进行电源的连接,所以一般采用反插错接头,这是种简单,低价而有效的方法。

但是,对于产品处于工厂生产阶段,可能不便采用防差错接头,这可能就会造成由于生产人员的疏忽造成反接,带来损失。所以给电路增加防接反电路有时还是有必要的,尽管增加了成本。

下面就说说常用的防接反电路:

一、

最简单的在电路中串入一只二极管

image.png  

 

优点:电路简单,成本较低。适用于小电流,对成本要求比较严的产品。

缺点:由于二极管的PN结在导通时,存在一个压降,一般在0.7V以下。这个压降就导致这种电路不适合应用在电流较大的电路中,如果电路有10A的电流,那么二极管的功耗就是0.7*10=7W,发热量还是很可观的。在结构紧凑空间有限的产品中,对产品的稳定性或人的使用感受上影响还是比较大的。

 

二、

对于上面上面提到的二极管的压降问题,有没有办法克服呢?看下面的电路。

image.png  

上面的防接反电路采用了一个保险丝和一个反向并联的二极管,电源极性正确,电路正常工作时,由于负载的存在电流较小,二极管处于反向阻断状态,保险丝不会被熔断。

当电源接反时,二极管导通,此时的电流比较大,就会将保险丝熔断,从而切断电源的供给,起到保护负载的作用。

优点:保险丝的压降很小,不存在发热问题。成本不高

缺点:一旦接反需要更换保险丝,操作比较麻烦。

 

三、

正接反接都可正常工作的电路:

image.png  

优点:输入端无论怎样接,电路都可以正常工作。

缺点:存在两个二极管的压降。适用于小电流电路。

 

四、

N沟道增强型场效应管防接反电路

由场效应管制作工艺决定了,场效应管的导通电阻比较小。是现在很常用的开关器件,特别是在大功率的场合。以TO-252封装的IRFR1205为例,其主要参数如下:Vdss=55V,Id=44A,Rds=0.027欧姆;可以看到其导通电阻只有27毫欧。

下图就是一个用N沟道场效应管构成的防接反电路

image.png  

这个电路的最大一个特点就是场效应管的D极和S极的接法。通常我们在使用N沟道的增强型的MOS管时,一般是电流由D极进入而从S极流出。应用在这个电路中时则正好相反。

曾经在一个论坛中看到过这个电路,发布这个电路的楼主被众多网友痛批。说是DS之间存在一个二极管根本没法实现。楼主没有注明场效应管的管脚名称,由于存在一个应用场效应管的惯性思维,导致楼主蒙冤。其实场效应管只要在G和S极之间建立一个合适的电压就会完全导通。导通之后D和S之间就像是一个开关闭合了,电流是从D到S或S到D都一样的电阻。

在电源极性正确时,电流起始时通过场效应管的稳压管导通,S极电压接近0V。两个电阻分压后,为G提供电压,使场效应管导通,因为其导通阻值很小,就把场效应管内部的二极管给替代了。

电源反接时,场效应管内的二极管未到击穿电压不导通。分压电阻无电流流过无法提供G极电压,也不导通。从而起到保护作用。

对于电路中并联在分压电阻上的稳压二极管,因为场效应管的输入电阻是很高的,是一个压控型器件,G极电压要控制在20V内,过高的电压脉冲会导致G极的击穿,这个稳压二极管就是起一个保护场效应管防止击穿的作用。

对于并联在分压电阻上的电容,有一个软启动的作用。在电流开始流过的瞬间,电容充电,G极的电压是逐步建立起来的。

对于并联在场效应管D与S之间的阻容串联电路,我感觉还是值得商榷的。阻容串联电路一般用作脉冲吸收或延时。用在这里要视负载的情况而定,加了或许反而不好。毕竟这会导致在电源在反接的时候会有一个短暂的导通脉冲。

也可以用P沟道的场效应管,只是要将器件串在正极的输入端。这里不再描述。

 

 

 

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一粒金砂(中级)

加桥堆是来搞笑的莫

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桥堆来做任意方向直流输入的用法很常见,并不搞笑。最常见的就是电话机里。你没见过只能说明你见得少。  详情 回复 发表于 2021-11-6 09:09
个人签名代理中颖MCU

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这些防反电路各有各个的用途

 


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一粒金砂(高级)

MCU-huangjunwei 发表于 2021-7-27 17:25 加桥堆是来搞笑的莫

桥堆来做任意方向直流输入的用法很常见,并不搞笑。最常见的就是电话机里。你没见过只能说明你见得少。


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