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纯净的硅(中级)

nmos被击穿后的现象分析 [复制链接]

推挽升压电路原边的两个nmos管被击穿,把万用表打到二极管档位,测试其中一个功率管,红表笔放在d极,黑表笔放在s极,然后反接表笔测量,都是显示是0v电压,说明该功率管被击穿。但是用同样的方法测量另外一个功率管,都是显示无穷大的电压,这是怎么理解?

此帖出自模拟电子论坛

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超级版主

有可能第二个功率管没有损坏,或者损坏情况与第一个不一样。


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现在的MOS管基本上都有寄生二极管,DS间用万用表测应该表现为单向导电性。如果不是这样,说明至少寄生二极管已经损坏,呈开路态。

个人签名上传了一些书籍资料,也许有你想要的:http://download.eeworld.com.cn/user/chunyang

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测前短接一下DS

变换一下表的档位

有可能也坏了

 


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我是来看大家的分析的,对电路不太懂。


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