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一粒金砂(初级)
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MOS管型号:HG021N10L-A 参数:100V25A(25N10) 内阻:25mR(VGS=10V) 结电容:839pF 类型:SGT工艺NMOS 开启电压:1.4V 封装:TO-252
方案资料索取及样板申请联系方式: 惠海半导体庞工 手机15323519289 微信同号 QQ:3007461762企业QQ 免费提供DEMO测试,免费提供技术支持
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