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一粒金砂(初级)

H5GQ8H24AJR-R8C/H5GQ8H24AJR-R6C显卡 [复制链接]

据韩媒报道,SK海力士表示,其计划将于明年下半年开始在利川厂区M16采用EUV设备生产第四代(1a nm)DRAM产品。SK海力士总裁李石熙表示M16工厂将于今年底建成,明年上半年开始引入制造设备,目前实验室正在进行准备工作,预计明年开始批量生产1a nm DRAM。目前,在内存市场上,仅三星电子和SK海力士宣布将在下一代DRAM产品中采用EUV技术,美光何时应用还不得而知。业内人士认为,EUV导入进度可能会成为打破内存三巨头格局的开端。为平衡业务结构,实现业务多元化,SK海力士正在积极扩展业务范围,作为加强非存储业务计划的一部分,SK海力士日前首次向公众推出其TOF图像传感器,由10µm像素组成,可提供QVGA(四分之一视频图形阵列)分辨率。SK海力士尚未透露其TOF图像传感器的确切发布日期,因为目前仍处于开发阶段。

 

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