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一粒金砂(初级)

高压H桥PWM马达驱动中替代国外IRF640场效应管参数的型号 [复制链接]

中国的电子产业链发展迅速,国内半导体元器件也已经越来越越缺货到不可思议的地步了,多因素驱动导致场效应管需求快速扩张。场效应管作为高压H桥PWM马达驱动产品的重要元器件,仅靠市面上常用的IRF640也不足以支撑使用。

这个时候就会比较多电子工程师想要找一款能够代用IRF640的场效应管。尤其如果是国内的货源,试样也会比较方便。

 

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而市面上的确也是有比较好能够替代IRF640用在高压H桥PMW马达驱动中的场效应管。就是飞虹的FHP640A。这款FHP640A的主要封装形式是 TO-220 ,脚位排列位GDS。这款场效应管参数:Vgs(±V):30;VTH(V):2-4;ID(A):18;BVdss(V):200。

因为以上的参数特点,所以这一款型号是能够与IRF640场效应管型号匹配在高压H桥PWM马达驱动中使用。

 

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目前这款N沟道增强型高压功率MOS场效应管:FHP640A,目前广泛使用的场景是高压H桥PMW马达驱动,DC-AC电源转换器,DC-DC电源转换器,48V/60V输入逆变器前级DC-DC
升压电路,AC110V输出电压的修正波DC-AC全桥逆变电路。在使用性能参数方面能够与IRF640对标使用。

FHP640A场效应管的特点是漏极直流电流18A,漏-源电压200V,导通电阻RDS(on) =0.18Ω(max) @VGS = 10 V低电荷、低反向传输电容开关速度快,低内阻。

 

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飞虹致力于半导体器件、集成电路、功率器件的研发、生产及销售,至今已经有33年半导体行业经验以及18年研发、制造经验。目前飞虹产品已经在开关电源、逆变器、电动车、LED照明、家电、锂电保护、电机控制器获得广泛应用,帮助合作伙伴解决符合国情、符合国际质量的国内优质产品。除提供免费试样外,更可根据客户需求进行量身定制MOS管产品。

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