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非易失性存储器Flash和EEPROM之间的差异与优缺点 [复制链接]

在嵌入式系统中,Flash和EEPROM能够存储可用于通信或执行某些功能的数据。它们可以通过多种不同的串行协议(包括SPI或串行外围设备接口)来连接存储设备。在单片机中也集成了多种不同类型的SPI存储设备,包括Flash和EEPROM。
 
一、Flash和EEPROM之间的差异
 
Flash和EEPROM均被视为非易失性存储器。非易失性存储器意味着该设备能够保存数据且无需持续供电,即使关闭电源也能保存数据信息。它们都是电子可写和可擦除存储器,用以存储单片机的应用程序及数据信息。这些数据可在芯片上或芯片外存储信息。
 
尽管Flash和EEPROM设备都可以存储嵌入式设备中使用的信息,但是它们的体系结构和用于读取,写入和擦除数据的操作略有不同。而EEPROM指的是电可擦可编程只读存储器是一种存储器,可以在字节级别读取,写入和擦除数据。另一方面Flash是EEPROM的一种,在结构上以块的形式排列,在块中擦除数据,并且可以在字节级别读取或写入数据。
 
二、使用闪存与EEPROM有什么优缺点?
 
使用闪存或EEPROM设备有很多优点和缺点:
 
由于EEPROM以字节为单位运行其擦除功能,因此这增加了清除和编辑设备所花费的时间,但允许开发人员在需要时编辑特定部分。闪存能够擦除大量数据,从而大大提高了擦除速度,并使设备可以更紧凑地存储信息。但是由于这个原因,它也失去了编辑某些字节的能力,从而迫使开发人员在进行任何更改时都重写整个数据块。
 
在存储设备上执行多个擦除和写入周期将导致其最终随着时间的推移而降级。使用EEPROM的优点之一是使用寿命更长。EEPROM在其生命周期内最多可以执行1000000个擦除/重写周期。根据闪存的类型,闪存的使用寿命会缩短,大多数闪存产品在磨损开始恶化存储完整性之前,能够承受大约10000至1000000次擦除/写入循环。就大小和成本而言,闪存具有比EEPROM更小的存储单元尺寸,并且实现成本更低。

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静态随机存储器SRAM,非易发性


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由于EEPROM以字节为单位运行其擦除功能,因此这增加了清除和编辑设备所花费的时间,但允许开发人员在需要时编辑特定部分。闪存能够擦除大量数据,从而大大提高了擦除速度,并使设备可以更紧凑地存储信息。

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