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一粒金砂(初级)

PW2320芯片N沟道增强型MOSFET [复制链接]

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PW2320采用先进的沟道技术,以提供优良的RDSON),低栅电荷和电压门极电压低至2.5V时工作。该装置适合用作电池保护或在其他开关应用中。

特征

VDS=20V ID=8A

RDS(开)<12mΩ@VGS=4.5V

SOTA 3针封装

芯片代理:深圳市夸克微科技  郑R  13528458039

image.png 绝对最大额定值(TA=25℃,除非另有说明)

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PW3400A采用先进的沟道技术,提供优秀的RDSON)、低栅电荷和栅电压低至2.5V时工作。该装置适用于电池保护或在其他交换应用中。

 

PW3428采用先进的沟槽技术,以提供优良的无线电数据系统(开),低栅电荷和电压门极电压低至4.5V时工作。该装置适合用作电池保护或在其他交换应用中。

 

PW3467采用先进的沟道技术,提供优秀的RDSON),低栅电荷和低功耗门极电压低至4.5V时工作。该装置适合用作电池保护或在其他交换应用中。

 

 

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