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一粒金砂（初级）

发表于2020-12-31 13:22 显示全部楼层

PW3428芯片N沟道增强型MOSFET [复制链接]

一般说明

该PW3428采用先进的沟槽技术，以提供优良的无线电数据系统（开），低栅电荷和电压门极电压低至4.5V时工作。该装置适合用作电池保护或在其他交换应用中。

特征

VDS ：30V

ID ：28A

RDS（开）：典型15mΩ@VGS=10V

提供8针DFN3*3封装

代理商：深圳市夸克微科技

郑生： 13528458039 QQ ： 2867714804

表格MOS.png

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