KRI 考夫曼射频离子源 RFCIP220 辅助溅射制备 LaF3 薄膜

hakuto

KRI 考夫曼射频离子源 RFCIP220 辅助溅射制备 LaF3 薄膜 [复制链接]

因此某光学薄膜制造商采用20cm 的溅射源为 KRI 考夫曼射频离子源 RFICP220 辅助溅射制备 LaF₃ 薄膜. 

 

伯东 KRI 射频离子源 RFICP220 技术参数:

离子源型号	RFICP220
Discharge	RFICP 射频
离子束流	>800 mA
离子动能	100-1200 V
栅极直径	20 cm Φ
离子束	聚焦, 平行, 散射
流量	10-40 sccm
通气	Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他
典型压力	< 0.5m Torr
长度	30 cm
直径	41 cm
中和器	LFN 2000

* 可选: 灯丝中和器; 可变长度的增量

运行结果:

1. 采用 KRI 考夫曼射频离子源 RFICP220 镀制的 LaF₃ 薄膜折射率更高, 且不存在折射率的梯度分布

2. 制备的 LaF3薄膜的环境稳定性更高

3. 离子源溅射制备的减反膜透过率为99.2%, 反射率为 0.1%, 表现了较好的光学特性

 

伯东是德国 Pfeiffer 真空泵, 检漏仪, 质谱仪, 真空计, 美国 KRI 考夫曼离子源, 美国HVA 真空阀门, 美国 inTEST 高低温冲击测试机, 美国 Ambrell 感应加热设备和日本 NS 离子蚀刻机等进口知名品牌的指定代理商.

此帖出自信息发布论坛