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一粒金砂(中级)

串行总线接口MRAM [复制链接]

本帖最后由 是酒窝啊 于 2020-12-25 16:38 编辑

 

概述

串行MRAM以40MHz的时钟速度高速运行,没有写延迟。和传统的EEPROM技术不同,MRAM允许无限次擦除。容量为256Kb到1Mb,数据保存时间长达20年以上。低电压保护电路可在掉电时自动保护数据,防止在规定电压范围以外时写入数据。对于必须永久保存、快速恢复重要数据和程序的应用,SPI串行总线接口的MARM存储器是理想的存储器方案。


特性
 

• 无写延时

• 无限次可写

• 数据保存时间大于20年

• 掉电数据自动保护

• SPI总线操作速率高达40 MHz

• 电源电压范围:2.7V~3.6V

• 待机电流低至3μA

• 具备工业级和汽车级的可选温度范围

• 小尺寸8引脚DFN封装,符合RoHS标准

• 可直接替代EEPROM、Flash、FRAM
 

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静态随机存储器SRAM,非易发性


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