29|0

552

帖子

4

资源

一粒金砂(初级)

大功率MDD肖特基二极管参数讲解 [复制链接]

   肖特基二极管瞬态浪涌电流IFSM(A):

   当电器刚接通电的瞬间,由于电容对交流或脉冲的内阻很小,在刚接通电的瞬间相当于电容加上脉冲电压,产生很大的电流,或者输入电压突变,也会产生很大的电流,瞬态浪涌电流就是这一瞬间所能承受的最大电流,超过最大IFSM,管子就会击穿失效。

   正向压降VF MAX (V):

   肖特基二极管(SBD),它属一种低功耗、超高速半导体器件。最显著的特点为反向恢复时间极短(可以小到几纳秒),正向导通压降仅0.4V左右。这里的正向压降指根据二极管的伏安特性曲线,正向电压很低时,正向电流很小,几乎为零,可视为未导通。使肖特基二极管能够导通的正向最低电压则称为二极管的正向压降。

 

肖特基二极管规格书下载: SS32B-THRU-SS3200B.pdf (1.27 MB, 下载次数: 0)


回复
您需要登录后才可以回帖 登录 | 注册

最新文章 更多>>
    关闭
    站长推荐上一条 1/5 下一条

    About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

    站点相关: 安防电子 汽车电子 手机便携 工业控制 家用电子 医疗电子 测试测量 网络通信 物联网

    北京市海淀区知春路23号集成电路设计园量子银座1305 电话:(010)82350740 邮编:100191

    电子工程世界版权所有 京ICP证060456号 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2021 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved
    快速回复 返回顶部 返回列表