31|0

78

帖子

0

资源

一粒金砂(初级)

hakuto 离子刻蚀机 7.5IBE 用于氮化硅刻蚀工艺研究 [复制链接]

重庆某研究所在在氮化硅刻蚀工艺研究中采用 hakuto 离子刻蚀机 7.5IBE.

 

Hakuto 离子蚀刻机 7.5IBE 技术规格:

真空腔

1 set, 主体不锈钢,水冷

基片尺寸

1 set, 4”/6”ϕ Stage, 直接冷却,

离子源

ϕ 8cm 考夫曼离子源 KDC75

离子束入射角

0 Degree~± 90 Degree

极限真空

≦1x10-4 Pa

刻蚀性能

一致性: ≤±5% across 4”

 

该 Hakuto 离子刻蚀机 7.5IBE 的核心构件离子源是配伯东公司代理美国考夫曼博士创立的 KRI考夫曼公司的考夫曼离子源 KDC 75

 

 伯东美国 KRI 考夫曼离子源 KDC75 技术参数:

 离子源型号

 离子源 KDC 75 

Discharge

DC 热离子

离子束流

>250 mA

离子动能

100-1200 V

栅极直径

7.5 cm Φ

离子束

聚焦, 平行, 散射

流量

2-15 sccm

通气

Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他

典型压力

< 0.5m Torr

长度

20.1 cm

直径

14 cm

中和器

灯丝

 

针对氮化硅刻蚀工艺中硅衬底刻蚀损失的问题, 为了提高氮化硅对二氧化硅的刻蚀选择比, 采用 CF4, CH3F和O2这3种混合气体刻蚀氮化硅, 通过调整气体流量比, 腔内压强及功率, 研究其对氮化硅刻蚀速率、二氧化硅刻蚀速率及氮化硅对二氧化硅选择比等主要刻蚀参数的影响.

此帖出自信息发布论坛

回复
您需要登录后才可以回帖 登录 | 注册

最新文章 更多>>
    关闭
    站长推荐上一条 1/5 下一条

    About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

    站点相关: 安防电子 汽车电子 手机便携 工业控制 家用电子 医疗电子 测试测量 网络通信 物联网

    北京市海淀区知春路23号集成电路设计园量子银座1305 电话:(010)82350740 邮编:100191

    电子工程世界版权所有 京ICP证060456号 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2021 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved
    快速回复 返回顶部 返回列表