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一粒金砂(初级)

hakuto 离子刻蚀机 10IBE 制作DNA芯片模板 [复制链接]

华中某实验室采用伯东 Hakuto 离子蚀刻机 10IBE制作面阵石英 DNA芯片模板.

 

Hakuto 离子蚀刻机 10IBE 技术参数:

基板尺寸

< Ф8 X 1wfr

样品台

直接冷却(水冷)0-90 度旋转

离子源

16cm 考夫曼离子源

均匀性

±5% for 4”Ф

硅片刻蚀率

20 nm/min

温度

<100

v:shapes="_x0000_i1025">

 

Hakuto 离子刻蚀机 10IBE  离子源是配伯东公司代理美国考夫曼博士创立的 KRI考夫曼公司的考夫曼离子源 KDC 160

 

伯东美国 KRI 考夫曼离子源 KDC160 技术参数:

 离子源型号

 离子源 KDC 160 

Discharge

DC 热离子

离子束流

>650 mA

离子动能

100-1200 V

栅极直径

16 cm Φ

离子束

聚焦, 平行, 散射

流量

2-30 sccm

通气

Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他

典型压力

< 0.5m Torr

中和器

灯丝

 

Hakuto 离子刻蚀机 10IBE 真空腔采用 Pfeiffer 涡轮分子泵 Hipace 700, 可抽的真空度 < 1 · 10-7 hpa, 良好的保持真空腔的真空度.

 

采用 Hakuto 离子刻蚀机 10IBE 制作的芯片模板较其他手段制作的同类器件而言, 其表面微结构形貌上的特点更有利于DNA序列样本与芯片模板的吸附耦合.

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