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一粒金砂(初级)

hakuto 离子刻蚀机 7.5IBE 用于芯片制造中厚铝刻蚀 [复制链接]

在高压、大功率器件及集成电路中, 铝布线要求能够承受高压、大电流, 在恶劣的环境下具备良好的可靠性, 因此需要一定厚度的铝.

 

沈阳某研究所采用伯东 Hakuto 离子蚀刻机 7.5IBE 用于芯片制造中厚铝刻蚀.

 

Hakuto 离子蚀刻机 7.5IBE 技术规格:

真空腔

1 set, 主体不锈钢,水冷

基片尺寸

1 set, 4”/6”ϕ Stage, 直接冷却,

离子源

ϕ 8cm 考夫曼离子源 KDC75

离子束入射角

0 Degree~± 90 Degree

极限真空

≦1x10-4 Pa

刻蚀性能

一致性: ≤±5% across 4”

 

该 Hakuto 离子刻蚀机 7.5IBE 的核心构件离子源是配伯东公司代理美国考夫曼博士创立的 KRI考夫曼公司的考夫曼离子源 KDC 75

 伯东美国 KRI 考夫曼离子源 KDC75 技术参数:

 离子源型号

 离子源 KDC 75 

Discharge

DC 热离子

离子束流

>250 mA

离子动能

100-1200 V

栅极直径

7.5 cm Φ

离子束

聚焦, 平行, 散射

流量

2-15 sccm

通气

Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他

典型压力

< 0.5m Torr

长度

20.1 cm

直径

14 cm

中和器

灯丝

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