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解决5G挑战关键技术之GaN详解 [复制链接]

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今年是5G元年,因此今年我们也正式进入了5G时代。与4G相比,5G频率比较高,因此为了实现相同的网络覆盖,5G基站的数量需要达到4G的三到五倍。由于5G这样的应用需求,使得相关射频器件面临了新的挑战。 

5G基站面临的挑战: 

由于5G基站不仅要满足高速率、大容量、广覆盖、低延时等要求,同时还要满足低功耗,低成本等要求,这就让5G基站不得不面对功耗,覆盖,成本以及杀手级应用市场在短期内还难以解决等难题。 

射频器件面临的挑战: 

要满足高功率密度,高效率和大带宽等性能。

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 GaN完美解决5G挑战 

与其他材料相比,在相同的 EIRP 的情况下,GaN在功耗,系统成本甚至设计复杂度等方面都有着其他材料无可比拟的优势。

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GaN在5G方面的优势 

GaN 材料可以实现更小尺寸,更大功率的 PA,更低噪声的 LNA,更小插损的 Switch, 所以针对毫米波频段,用氮化镓来开发 FEM 就非常适用。

GaN on SiC 的优势介绍 

也能从下图中,可知其高带宽、高效和高功率特性可以帮助客户做出更小尺寸的器件,进而帮助打造更小、更简单、更轻,且成本更低的系统。

 

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各个国家和地区对 5G 的布局,5G 网络基础设施在未来几年将会获得快速的增长,这就给相关的射频器件供应商带来了机遇。

解决5G挑战关键技术的GaN 器件在5G基站的设计中必不可少。想了解氮化镓射频器件优质供应商的详尽器件介绍。请点击阅读原文

此帖出自RF/无线论坛

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