463|13

25

帖子

0

资源

一粒金砂(初级)

求助这个电流镜VGS通过什么途径、思路求得,非常感谢!

 


image.png

此帖出自模拟电子论坛
image.png

回复

1万

帖子

0

资源

超级版主

电流镜还有这样的?MOS管能构成电流镜么?

前所未见。

点评

这个电路是可以工作的。比如说我想设计ID=5.5mA,是怎么构思的。  详情 回复 发表于 2020-10-9 12:09

回复

25

帖子

0

资源

一粒金砂(初级)

maychang 发表于 2020-10-9 09:46 电流镜还有这样的?MOS管能构成电流镜么? 前所未见。

这个电路是可以工作的。比如说我想设计ID=5.5mA,是怎么构思的。

点评

标题是”求助这个电流镜VGS通过什么途径、思路求得“。VGS应该是MOS管开启电压再加上漏极电流除以跨导。  详情 回复 发表于 2020-10-9 12:43
当然,前提是左右两个MOS管开启电压和跨导等参数完全相等。  详情 回复 发表于 2020-10-9 12:36
此电路确实两个MOS管漏极电流相等。 要使右管电流为 I,左管漏极电阻应该为5V减去MOS管开启电压(严格地说,应该是再减去跨导乘漏极电流)除以所需要的漏极电流。  详情 回复 发表于 2020-10-9 12:34

回复

1万

帖子

0

资源

超级版主

本帖最后由 maychang 于 2020-10-9 12:43 编辑
zzw_rst 发表于 2020-10-9 12:09 这个电路是可以工作的。比如说我想设计ID=5.5mA,是怎么构思的。

此电路确实两个MOS管漏极电流相等。

要使右管电流为 I,左管漏极电阻应该为5V减去MOS管开启电压(严格地说,应该是再减去漏极电流除以跨导)除以所需要的漏极电流 I。


回复

1万

帖子

0

资源

超级版主

zzw_rst 发表于 2020-10-9 12:09 这个电路是可以工作的。比如说我想设计ID=5.5mA,是怎么构思的。

当然,前提是左右两个MOS管开启电压和跨导等参数完全相等。


回复

1万

帖子

0

资源

超级版主

zzw_rst 发表于 2020-10-9 12:09 这个电路是可以工作的。比如说我想设计ID=5.5mA,是怎么构思的。

标题是”求助这个电流镜VGS通过什么途径、思路求得“。VGS应该是MOS管开启电压再加上漏极电流除以跨导。

点评

电路元件的电流、电压应该可以在未实际测量前计算出来(当然前提是知道除了电流、电压其他参数),所以ID是不知道的,知道ID的话,VGS就直接=5V-ID*R了  详情 回复 发表于 2020-10-9 14:02

回复

25

帖子

0

资源

一粒金砂(初级)

maychang 发表于 2020-10-9 12:43 标题是”求助这个电流镜VGS通过什么途径、思路求得“。VGS应该是MOS管开启电压再加上漏极电流 ...

电路元件的电流、电压应该可以在未实际测量前计算出来(当然前提是知道除了电流、电压其他参数),所以ID是不知道的,知道ID的话,VGS就直接=5V-ID*R了

点评

你在3楼说的是 “比如说我想设计ID=5.5mA,是怎么构思的。” 那么ID应该是已知。  详情 回复 发表于 2020-10-9 15:20

回复

1万

帖子

0

资源

超级版主

zzw_rst 发表于 2020-10-9 14:02 电路元件的电流、电压应该可以在未实际测量前计算出来(当然前提是知道除了电流、电压其他参数),所以ID ...

你在3楼说的是 “比如说我想设计ID=5.5mA,是怎么构思的。” 那么ID应该是已知。

点评

是我假设的,搞复杂了。ID是不知道的  详情 回复 发表于 2020-10-9 17:33

回复

25

帖子

0

资源

一粒金砂(初级)

maychang 发表于 2020-10-9 15:20 你在3楼说的是 “比如说我想设计ID=5.5mA,是怎么构思的。” 那么ID应该是已知。

是我假设的,搞复杂了。ID是不知道的

点评

MOS管开启电压和跨导等等这些参数,是由制造工艺决定的。管子制造完成,这些参数就确定了,不可能从外界进行修改,只能用一定方法来测量。  详情 回复 发表于 2020-10-10 09:33

回复

1万

帖子

0

资源

超级版主

zzw_rst 发表于 2020-10-9 17:33 是我假设的,搞复杂了。ID是不知道的

MOS管开启电压和跨导等等这些参数,是由制造工艺决定的。管子制造完成,这些参数就确定了,不可能从外界进行修改,只能用一定方法来测量。


回复

2175

帖子

0

资源

五彩晶圆(中级)

不太明白楼主问题的意思。

用MOS管构成的电流镜,通常工作在饱和区,其电流表达式是:

\small I=(1/2)\mu C\left ( W/L \right )(VGS-VTH)^{2}

其中mu是载流子迁移率,C是栅极单位面积的电容,W/L是栅极的宽长比,VGS是栅源电压,VTH是阈值电压。若知道场效应管的上述参数,又由图知VGS=5V-I*R,应该可以求得I

点评

前辈上面的公式的VGS怎么求得  详情 回复 发表于 2020-10-10 17:50
就是手工计算出VGS和ID  详情 回复 发表于 2020-10-10 14:56

回复

25

帖子

0

资源

一粒金砂(初级)

gmchen 发表于 2020-10-10 14:00 不太明白楼主问题的意思。 用MOS管构成的电流镜,通常工作在饱和区,其电流表达式是: 其中mu是 ...

就是手工计算出VGS和ID


回复

25

帖子

0

资源

一粒金砂(初级)

gmchen 发表于 2020-10-10 14:00 不太明白楼主问题的意思。 用MOS管构成的电流镜,通常工作在饱和区,其电流表达式是: 其中mu是 ...

前辈上面的公式的VGS怎么求得

点评

我是说如果知道MOS管的参数可以得到I 具体说,电子迁移率,栅极电容,栅极宽长比再设计MOS管的时候是已知的,做成MOS管后,其开启电压也是已知的,此时两个方程中只剩ID和VGS两个参数,就可以解方程了  详情 回复 发表于 2020-10-10 19:19

回复

2175

帖子

0

资源

五彩晶圆(中级)

zzw_rst 发表于 2020-10-10 17:50 前辈上面的公式的VGS怎么求得

我是说如果知道MOS管的参数可以得到I

具体说,电子迁移率,栅极电容,栅极宽长比再设计MOS管的时候是已知的,做成MOS管后,其开启电压也是已知的,此时两个方程中只剩ID和VGS两个参数,就可以解方程了

赞赏

1

查看全部赞赏


回复
您需要登录后才可以回帖 登录 | 注册

关闭
站长推荐上一条 1/5 下一条

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 安防电子 汽车电子 手机便携 工业控制 家用电子 医疗电子 测试测量 网络通信 物联网

北京市海淀区知春路23号集成电路设计园量子银座1305 电话:(010)82350740 邮编:100191

电子工程世界版权所有 京ICP证060456号 京ICP备10001474号 电信业务审批[2006]字第258号函 京公海网安备110108001534 Copyright © 2005-2020 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved
快速回复 返回顶部 返回列表