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意法半导体SiC产品及其工业应用指南 直播资料合集 [复制链接]

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有奖直播:意法半导体SiC产品及其工业应用指南

 

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直播问答:

1、SiC主要应用领域是什么?
A: 充电桩、车载OBC, traction inverter,以及工业大功率电源
2、碳化硅,在产品设计时需要考虑哪些方面?
A: SiC MOSFET在应用时,主要需要考虑它的驱动电压,Gen2的产品一般Vgs选择+18V/-5V 驱动,来获得较为理想的Rdson和防止误开通,还有驱动芯片dv/dt的抗干扰能力
3、ST有没有专用驱动SIC MOS的驱动IC,是不是一定要有负压才可靠?MOS的最低开启电压现在是多少V?
A: ST 拥有专门的SiC MOSFET 驱动IC, STGAP系列。一般来说如果是半桥应用,建议采用负压关断,以防止有直通风险,SiC 的Vth电压比较低,在2V左右
4、ST的工业应用的SiC工作温度范围是多少?
A: 可以支持到200摄氏度结温
5、请问老师ST的Sic新器件产品最大功率能够达到多少?是否有应用在光伏领域的成功案例?
A: 您好,光伏逆变器领域对效率要求较高,SiC Diode MOS在光伏方面是有成功应用的
6、Gen2的650V/1200V 器件反向恢复电流和高浪涌承受能力怎么样,以及最高运行结温可以达到多少度?
A: 反向回复电流具体可以参考数据手册,二极管器件手册中都有标注不同时间的IFSM, 最高结温可以支持到200摄氏度
7、1200V电压等级SiC的贴片封装产品多吗
A: 目前1200V器件贴片封装的是H2PAK-7,我们1200V每个Rdson都会提供H2PAK-7的产品
8、15KW双向AC/DC整流电路Demo板详细介绍一下
A: 您好,这个15KW的双向AC/DC是基于1200V SiC MOS, SCTW40N120G2V, 以T字三电平的拓扑结构;具体原理图,PCB可以在ST官方网站找到
9、SiC 产品 ,ST现有的最高耐压,与最大IDS是多少?
A: 目前SiC MOS 有650V,1200V, 1700V的产品
10、SiC目前除了充电还在哪些场合有实际应用?
A: 在太阳能逆变器,工业电源(服务器,UPS),储能,电机驱动方面都非常适合
11、请问SiC的导通电阻大概有多大?单位面积的漂移层阻抗是否也有提高
A: 目前650V SiC Gen2 Rdson最小在18mR,1200V SiC Gen2在22mR
12、特斯拉Model 3逆变器已经使用到意法半导体SiC功率模块,请问散热问题如何优化解决。
A: SiC器件具有更低的Rdson,意味着更低的损耗,可以提升电驱的效率,降低散热
13、请问用ST产的SiC Gen2 MOSFET功率开关管设计全桥LLC ZⅤC谐振转换器?如果行,那末它的功耗与效率有何优势?(13390897256)
A: ST的SiC mosfet 已经在LLC拓扑中有成熟的应用,对比普通的Si MOSFET效率上有较大的提升
14、请问ST的SIC工业工作温度范围是多少?
A: 最高Tj可以到200℃
15、对于产品设计,如何选型,我改如何考虑选哪个产品?
A: 您可以联系我们ST技术市场部门,我们会根据您的需求,推荐合适的器件
16、大功率电源输出采用POWER FLAT 是否需要做散热设计?
A: 还是要在PCB上做散热设计的,具体关于PowerFlat8x8的散热,我们网站有应用笔记可以参考
17、ST的最低导通电压的产品型号是什么?
A: 650V: SCTW90N65G2V; 1200V: SCTW70N120G2V
18、请问ST的SiC MOSFET的内阻会随着温度的升高而增大吗?
A: 对的,Rdson是具有正温度特性的
19、ST 碳化硅MOSFET最高结温有200C°型号可选吗
A: 您好,ST SiC MOS, Hip247封装的都支持到200摄氏度结温,型号如SCTW70N120G2V, SCTW40N120G2V
20、应用在太阳能逆变器,请推荐一些应用型号。
A: 您好,1200V SiC MOS: SCTW40N120G2V, SCTW70N120G2V; SiC 二极管 STPSC系列,多种电流范围
21、ST的SiC产品最高开关频率可以做到多少?对于驱动回路是否有要求,普通MCU的3.3V~5V 的数据输出是否能够驱动SiC芯片。
A: SiC MOSFET 需要专用的驱动IC, 驱动电压一般为+18V/-5V,SiC 产品的开关频率可以做到200KHz+, 但实际中需要综合考虑dv/dt
22、ST的SIC碳化硅MOSFET的驱动电压有最低是多少伏的?
A: ST的SiC MOS, 门极驱动最低限值-10V,Max 22V
23、ST的SiC 对驱动负压有要求吗? 怎么考虑门极可靠性的问题?
A: 因为SiC mosfet的Vth较低,一般是2V左右,所以建议大家在半桥的应用中采用负压关断,以防止出现上下管直通
24、意法半导体的MOSFET是否有车规级的产品型号?如有,是哪些?
A: 650V和1200V SiC MOS都有车规级,如SCTW100N120G2VAG, SCTW40N120G2VAG,尾缀带有AG的是车规级型号
25、请教下,SiC MOSFET是否有雪崩耐量?
A: 一般来说SiC MOSFET的雪崩能量比较低,相对比Si 管。不同规格可能会标称不同的雪崩能量值
26、如何消除或减少振铃啊
A: 一般来说,振铃现象大部分出现在弥勒平台位置,所以建议通过调整驱动电阻来减小弥勒电容的负反馈作用,另外驱动回路的寄生电感也是产生振荡的主要原因,需要再layout 的时候,尽量缩短驱动回路,减小 S极的寄生电感
27、最新代的SIC MOS的驱动电压为多少V?
A: Gen2的产品,驱动电压建议为+18V/-5V
28、sic并联需要注意哪些方面?
A: 主要需要考虑管子的均流,另外就是驱动信号的一致性
29、ST是否配套提供专用的驱动IC,这样设计匹配会更方便。选用其他的驱动芯片,不好用参考设计,也不能完全匹配性能。
A: 您好,ST有专门适合SiC的驱动IC,我们今天提到的Demo板就是基于ST的驱动IC和SiC产品来实现的
30、最高使用温度能达到多少度?
A: 器件最高TJ,max是在200摄氏度
31、Sic mosFET的抗雪崩特性怎么样?
A: 目前SIC MOS的雪崩,在业界还是一个持续研究的课题,目前SIC MOS使用时不推荐在雪崩情况下
32、SiC的耐温一般多少度?Tj,谢谢
A: 最高Tj耐温可以做到200℃
33、请问ST的SiC最高耐压多少?可以达到1200V吗?
A: 对的,SiC 可以到1200V
34、ST MOSTFET 我司用到最多,品质稳定。交付周期有保障。
A: 谢谢!我们会做的更好!
35、请问解决SiC应用中寄生参数导致的振铃时,注意哪些因素?谢谢
A: 这部分,可以通过优化PCB的布局,降低环路寄生,此外可以调节门机驱动电阻,适当降低开关斜率;另外可以在电路上设计吸收电路
36、Gen2的650V/1200V SiC MOSFET 什么时候可以拿样品呢
A: 样品都可以提供,具体您请联系代理商或ST销售

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