444|0

4817

帖子

0

资源

纯净的硅(中级)

TI 高侧和低侧驱动器 4A 峰值电流120V 升压方案 [复制链接]

本帖最后由 Jacktang 于 2020-9-20 11:05 编辑

image.png image.png image.png image.png image.png image.png

      可通过独立输入驱动两个采用高侧/低侧配置的N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),峰值输出上拉和下拉电流已经被提高至4A 拉电流和4A 灌电流,并且上拉和下拉电阻已经被减小至0.9Ω,因此可以在MOSFET 的米勒效应平台转换期间用尽可能小的开关损耗来驱动大功率MOSFET。输入结构能够直接处理-10 VDC,这提高了稳健耐用性,并且无需使用整流二极管即可实现与栅极驱动变压器的直接对接。此输入与电源电压无关,并且具有20V 的最大额定值。

 

UCC27211A 120V 升压 4A 峰值电流的高频高侧和低侧驱动器.pdf (1.69 MB, 下载次数: 2)


回复
您需要登录后才可以回帖 登录 | 注册

最新文章 更多>>
    关闭
    站长推荐上一条 1/4 下一条

    About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

    站点相关: 安防电子 汽车电子 手机便携 工业控制 家用电子 医疗电子 测试测量 网络通信 物联网

    北京市海淀区知春路23号集成电路设计园量子银座1305 电话:(010)82350740 邮编:100191

    电子工程世界版权所有 京ICP证060456号 京ICP备10001474号 电信业务审批[2006]字第258号函 京公海网安备110108001534 Copyright © 2005-2020 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved
    快速回复 返回顶部 返回列表