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纯净的硅(初级)

谁对BMS保护延时了解的?

谁对BMS保护延时了解的?

 

过充电压保护延时、过充保护释放延时、过放电压保护延时、放电过流保护延时----------

 

1.这种延时是用示波器去测试吗?有没有更好的方法?理想状态是在达到保护或者释放保护要越快越好,而实际上是做不到的?这个做不到没有延时是哪些因素造成的?哪个是最关键的因素?

 

2.为什么没有强调过放保护释放延时、过流保护释放延时、短路保护延时、短路保护释放延时、过温保护延时、过温保护释放延时?BMS电池保护中是否存在这四个延时参数?

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纯净的硅(初级)

BMS电池保护中是否存在这六个延时参数?

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问题提的不少,没有深度

可以说没认真看过电池保护芯片手册


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好多基本知识,需要认真看一些芯片手册。

电池保护芯片有几种延时,一般是芯片手册叙述的

“否存在这六个延时参数?”一般都有,不是所有的芯片都很有

 

 

 

 


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有的芯片,比如前几年日本精工的8254系列,有的没有温度保护

带温度保护的,需要设置温度参数


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延时是可以测得,比如用示波器短路保护的测试
需要在电池端焊接一个毫欧电阻,用示波器测试采集示在电池正负一般习惯P+,P-,短路P+和P-用示波器探头采集电阻两端的电压,观察跳变时间。


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