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单片机周边:4Mbit,这个就算FRAM容量达到了最高?

我想,这个容量最高应该不是受技术限制,是受应用限制,没必要做那么高吧?

期待懂的网友跟帖讨论。

 

富士通电子元器件(上海)有限公司近日宣布,推出型号为MB85RS4MTY的4Mbit FRAM,其容量达到FRAM产品最高水平,运作温度最高可达125℃。目前可为客户提供评测版样品。

这款全新FRAM是非易失性内存产品,在125℃高温环境下可以达到10兆次读/写次数,工作电流低,是工业机器人和高级驾驶辅助系统(ADAS)等汽车应用的最佳选择。

FRAM的读/写耐久性、写入速度和功耗均优于EEPROM和闪存,并已量产20多年,近年来广泛用于可穿戴设备、工业机器人和无人机。

 

    image.png

MB85RS4MTY 8-pin DFN(顶部・底部)

 

自去年发布以来,2Mbit FRAM MB85RS2MTY已在汽车和工业设备中获得广泛应用,而MB85RS4MTY将其容量提高了一倍,达到4M bit,满足更高容量的需求,配有SPI接口,工作电压为1.8V至3.6V。由于这款FRAM工作电流低,即使在125℃高温下,最大工作电流仅为4mA(运作频率50MHz),最大掉电模式电流为30µA,因此有助于降低环境敏感应用的功耗。

 

image.png

 

这款全新FRAM在-40℃至+ 125℃温度范围内可以达到10兆次读/写次数,适合某些需要实时数据记录的应用。例如,每0.03毫秒重写一次数据,同一地址连续记录数据可达10年之久。

 

这款FRAM产品采用业界标准8-pin SOP封装,可轻松取代现有类似引脚的EEPROM。此外,还提供8-pin DFN(无引线双侧扁平)封装。

 

 富士通电子将继续提供内存产品和解决方案,满足市场和客户的未来需求。

 

关键规格

 

•        组件型号:MB85RS4MT

•        容量(组态):4 Mbit(512K x 8位)

•        接口:SPI(Serial Peripheral Interface)

•        运作频率:最高50 MHz

•        运作电压:1.8V - 3.6V

•        运作温度范围:-40°C - +125°C

•        读/写耐久性:10兆次(1013次)

•        封装规格:8-pin DFN,8-pin SOP

 

 

铁电随机存取内存(FRAM)

FRAM是一种采用铁电质薄膜作为电容器以储存数据的内存,即便在没有电源的情况下仍可保存数据。FRAM结合了ROM和RAM的特性,并拥有高速写入数据、低功耗和高速读/写周期的优点。富士通自1999年即开始生产FRAM,亦称为FeRAM。

 

此帖出自单片机论坛

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赛普拉斯来打脸

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这、 难道是官饭错了  详情 回复 发表于 2020-7-31 14:40
个人签名虾扯蛋

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这、

难道是官饭错了


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打脸使人强大

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i.MX RT1010 真香


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一粒金砂(中级)

从字面上看,人家也没写业界最高水平啊,也许是说自己公司的最高水平呢?

这种宣传性的东西,别太较真。

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nmg
哈哈,没较真,当时看到这个新闻感觉4Mbit就算最高,有点诧异 然后发到论坛晃悠晃悠,果然没经住工程师们的考察,哈哈  详情 回复 发表于 2020-8-3 09:25

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joeymm 发表于 2020-8-1 16:22 从字面上看,人家也没写业界最高水平啊,也许是说自己公司的最高水平呢? 这种宣传性的东西,别太较真。 ...

哈哈,没较真,当时看到这个新闻感觉4Mbit就算最高,有点诧异

然后发到论坛晃悠晃悠,果然没经住工程师们的考察,哈哈


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五彩晶圆(初级)

最关键是多少钱?

个人签名人已离开,无事别找,找也找不到。

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