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分享一个MOS管经常损坏的问题。

 

24V系统中,我用PMOS做开关,偶尔有PMOS会损坏。

原来以为是偶然事件,后来发现是设计问题。

这个是有问题的电路图:Q1有时会坏

鏈懡鍚嶅浘鐗 这个是所用MOS管的参数:

鏈懡鍚嶅浘鐗 打开PMOS时,GS间的电压大于了GS最大值,这就导致了MOS管容易损坏

 

之后将电路改成这种

鏈懡鍚嶅浘鐗 这样在MOS管打开和关闭时,VGS间的电压都不会超过额定最大值。

 

由于MOS管是压控器件,在使用时,为了让电压尽快的建立起来,经常会将栅极的驱动电阻减小或者直接去掉。

但也要注意使用的电路环境中,在开通和关断过程中各个指标都不能超过额定最大值。

此帖出自模拟电子论坛

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谢谢分享经验

想问,是增加了G极驱动电阻20K吗,感觉这个电阻偏大

还有,想问,在没有加电阻之前,“Q1有时会坏”的时候,358正常?

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因为这个MOS不会频繁的开关,只是用来做逻辑控制的,所以不要求太高的速度。 我就用了比较大的电阻。 358没有坏过。  详情 回复 发表于 7 天前

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本帖最后由 maychang 于 2020-7-29 10:41 编辑

文中和图中都没有说明电源电压。不知道电源电压,新增加的电阻是否应该用20千欧,不好说。有可能新增加的电阻过大,此电阻过大将使得P沟MOS管不能进入可变电阻区。

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是24V的电压。 这个PMOS的Vth只有1V  详情 回复 发表于 7 天前
在24V系统中,我用PMOS做开关,偶尔有PMOS会损坏。 -----应该是24V供电的情况。他改进后用10K和20K分压,使得Vgs(TH)<Vgs=8V<12V。  详情 回复 发表于 2020-7-29 13:33

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maychang 发表于 2020-7-29 10:39 文中和图中都没有说明电源电压。不知道电源电压,新增加的电阻是否应该用20千欧,不好说。有可能新增加的电 ...

在24V系统中,我用PMOS做开关,偶尔有PMOS会损坏。

-----应该是24V供电的情况。他改进后用10K和20K分压,使得Vgs(TH)<Vgs=8V<12V。

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楼主用的MOS管,根据楼主自己贴出的图片,VGSS最大允许值为12V。 这样的参数确实比较少见,多数功率MOS管VGSS最大允许值为20V。 如果楼主使用的电源电压为15V,那就可能有MOS管不能充份导通的问题。  详情 回复 发表于 2020-7-29 14:01

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topwon 发表于 2020-7-29 13:33 在24V系统中,我用PMOS做开关,偶尔有PMOS会损坏。 -----应该是24V供电的情况。他改进后用10K和20K分 ...

主用的MOS管,根据楼主自己贴出的图片,VGSS最大允许值为12V。

这样的参数确实比较少见,多数功率MOS管VGSS最大允许值为20V。

如果楼主使用的电源电压为15V,那就可能有MOS管不能充份导通的问题。

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Vgs=-5V的话也足以使得3401导通了吧。 [attachimg]491868[/attachimg] [attachimg]491869[/attachimg]  详情 回复 发表于 7 天前

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我以前设计的电源里也是,最怕芯片第一炸,MOS第二炸


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maychang 发表于 2020-7-29 14:01 楼主用的MOS管,根据楼主自己贴出的图片,VGSS最大允许值为12V。 这样的参数确实比较少见,多数功率MO ...

Vgs=-5V的话也足以使得3401导通了吧。

image.png

image.png

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我没有查UT3401手册。 从你贴出的曲线看,-4.5V时的管压降比-10V时至少要大三分之一(55毫欧对42毫欧),这显然会增加MOS损耗。    详情 回复 发表于 7 天前

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qwqwqw2088 发表于 2020-7-29 08:55 谢谢分享经验 想问,是增加了G极驱动电阻20K吗,感觉这个电阻偏大 还有,想问,在没有加电阻之前,&l ...

因为这个MOS不会频繁的开关,只是用来做逻辑控制的,所以不要求太高的速度。

我就用了比较大的电阻。

358没有坏过。

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如是PWM驱动,有频率要求,这个电阻大估计不行,驱动电阻的选取是需要实际调试的,太小开关速度快,影响EMI,太大又影响效率,不同的管子要根据手册参数。  详情 回复 发表于 7 天前

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maychang 发表于 2020-7-29 10:39 文中和图中都没有说明电源电压。不知道电源电压,新增加的电阻是否应该用20千欧,不好说。有可能新增加的电 ...

是24V的电压。

这个PMOS的Vth只有1V

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RDS(on)的测试条件,通常是VGS为10V。当然,这个管子我没查手册,可能稍低于10V,例如8V。你手中应该有该管子手册,查查看是不是这样。  详情 回复 发表于 7 天前
VGS(th)测试条件是漏极电流250微安。电流只有250微安,可见MOS管电阻相当大。这么大电阻,很难说是起到了开关的 “开” 作用。  详情 回复 发表于 7 天前

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topwon 发表于 2020-7-30 09:08 Vgs=-5V的话也足以使得3401导通了吧。

我没有查UT3401手册。

从你贴出的曲线看,-4.5V时的管压降比-10V时至少要大三分之一(55毫欧对42毫欧),这显然会增加MOS损耗。

 

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以前级串联了1N4007看,这个电路的过流能力也不超过1A吧?这10豪欧的导通内阻差异应该是非常小了。。。。。。。  详情 回复 发表于 7 天前

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maychang 发表于 2020-7-30 09:21 我没有查UT3401手册。 从你贴出的曲线看,-4.5V时的管压降比-10V时至少要大三分之一(55毫欧对42毫欧 ...

以前级串联了1N4007看,这个电路的过流能力也不超过1A吧?这10豪欧的导通内阻差异应该是非常小了。。。。。。。

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从串联1N4007看,此电路对管压降要求也不高,否则应该使用管压降更小的萧特基二极管。  详情 回复 发表于 7 天前
不错,串联了1N4007,说明电流不会超过1A。管子即使没有充份导通,功耗也不会太大,这点差异可以忽略。  详情 回复 发表于 7 天前

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sfcsdc 发表于 2020-7-30 09:21 是24V的电压。 这个PMOS的Vth只有1V

VGS(th)测试条件是漏极电流250微安。电流只有250微安,可见MOS管电阻相当大。这么大电阻,很难说是起到了开关的 “开” 作用。


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sfcsdc 发表于 2020-7-30 09:21 是24V的电压。 这个PMOS的Vth只有1V

RDS(on)的测试条件,通常是VGS为10V。当然,这个管子我没查手册,可能稍低于10V,例如8V。你手中应该有该管子手册,查查看是不是这样。


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topwon 发表于 2020-7-30 09:36 以前级串联了1N4007看,这个电路的过流能力也不超过1A吧?这10豪欧的导通内阻差异应该是非常小了。。。。 ...

不错,串联了1N4007,说明电流不会超过1A。管子即使没有充份导通,功耗也不会太大,这点差异可以忽略。


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sfcsdc 发表于 2020-7-30 09:19 因为这个MOS不会频繁的开关,只是用来做逻辑控制的,所以不要求太高的速度。 我就用了比较大的电阻。 ...

如是PWM驱动,有频率要求,这个电阻大估计不行,驱动电阻的选取是需要实际调试的,太小开关速度快,影响EMI,太大又影响效率,不同的管子要根据手册参数。


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topwon 发表于 2020-7-30 09:36 以前级串联了1N4007看,这个电路的过流能力也不超过1A吧?这10豪欧的导通内阻差异应该是非常小了。。。。 ...

从串联1N4007看,此电路对管压降要求也不高,否则应该使用管压降更小的萧特基二极管。


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