237|0

1125

帖子

0

资源

纯净的硅(中级)

msp430FR5739 FRAM的学习 [复制链接]

FRAM,中文名称为铁电存储器。。FRAM提供一种与RAM一致的性能,但又有与ROM 一样的非易失性。 FRAM 克服以上二种记忆体的缺陷并合并它们的优点,它是全新创造的产品,一个非易失性随机存取储存器。

首先了解下FR5739的地址空间,对于FRAM,它的地址空间范围从0xC000—0xFFFF;

分成32个page,每个page的大小为512字节。。具体分布可以查看官方的User Guide文档,此处截部分图:

image.png

因此,在编写程序的时候,假如需要将数据存储进FRAM,则应设置写入地址在该范围内。。

对于中端向量的地址空间的范围,文档上明确给出了是从0FFFFH---0FF80H,其中每个中断向量所占的地址为16个字节。因此,一共有64个中断源。。

而1K的RAM的地址范围则从1FFFH—1A00H,更详细的可以看datasheet中的内存结构

image.png

结合这个Memory Organization 和前面的FRAM的地址空间,就发现了两者的FRAM的地址空间没有对上号。因为Memory Organization的Totla Size 是15.5K,起始地址是C200H,而前面的是16K,起始地址为C000,也就是说少了一个page。。然后又看了下文档,发现在User Guide 中的Table 6-1. Page Addresses for 16KB, 8KB, and 4KB Main Memory

的NOTE中提及了

image.png

大概意思就是说在计算的时候,主内存的大小应该从下一个或者往下的两个power算起。。不过我没明白为什么要这样弄。。。

综上其言,只要定义个指向FRAM地址空间的指针,就能通过指针的操作将数据写入其中了。。然后调试的时候查看内存,便能知道是否将数据写进去了。。
 


回复
您需要登录后才可以回帖 登录 | 注册

最新文章 更多>>
    关闭
    站长推荐上一条 1/5 下一条

    About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

    站点相关: 安防电子 汽车电子 手机便携 工业控制 家用电子 医疗电子 测试测量 网络通信 物联网

    北京市海淀区知春路23号集成电路设计园量子银座1305 电话:(010)82350740 邮编:100191

    电子工程世界版权所有 京ICP证060456号 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2021 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved
    快速回复 返回顶部 返回列表