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[讨论] SRAM电路工作原理

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一粒金砂(中级)

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发表于 2020-5-29 15:48 | 显示全部楼层 |阅读模式

近年来,片上存储器发展迅速,根据国际半导体技术路线图(ITRS),随着超深亚微米制造工艺的成熟和纳米工艺的发展,晶体管特征尺寸进一步缩小,半导体存储器在片上存储器上所占的面积比例也越来越高。接下来宇芯电子介绍SRAM的工作原理以及工作过程。
 
SRAM 写操作。
写操作就是把数据写入指定的SRAM 存储单元中。首先片选信号CEBB 置为低电平,读控制电路开始运作。10 位写地址线AB0-AB9、16位数据输入DI0-DI15 准备就绪,地址信号有效,系统开始译码、选择要写入的存储单元以及需要写入的数据。当时钟信号CKB 高电平到来时,CKB 信号控制译码电路完成最后的译码,行译码电路选中的那一行存储单元写字线WWL 将会打开;16 位数据经过输入输出电路中的写电路传递到写字线BL 上,从而把数据写入选中的存储单元。
 
SRAM 读操作。
读操作即是把SRAM 阵列中指定单元中存储的数据读取出来。片选信号CEBA 置为低电平,读控制电路运作。与写操作相同,10 位读地址线AA0-AA9 提前准备就绪,经过译码器选择指定的存储单元;同时读位线RBL 被预充电到高电平。预充电一段时间后时钟信号CKA 到来,译码完成,打开指定存储单元的读字线RWL,对存储单元进行读操作。此时灵敏放大器被激活,读位线RBL 上的电压变化会传递到灵敏放大器中,灵敏放大器可以根据RBL的电压变化情况把结果送到输出电路,输出的二进制序列从端口DO0-DO15 读出,从而读出特定存储单元的数据。

此帖出自stm32/stm8论坛

静态随机存储器SRAM,非易发性


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一粒金砂(中级)

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 楼主| 发表于 2020-6-1 15:08 | 显示全部楼层

随着超深亚微米制造工艺的成熟和纳米工艺的发展,晶体管特征尺寸进一步缩小,半导体存储器在片上存储器上所占的面积比例也越来越高。宇芯电子介绍SRAM的工作原理以及工作过程。

静态随机存储器SRAM,非易发性


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