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一粒金砂(中级)

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NMOS管的导通电压测试问题 [复制链接]

这是一个NMOS管的资料,在测试的VGS(th)的时候,这个VDS的电压应该用多少V的?

测试条件上面只写了:ID=250uA, VDS=VGS, 也没标明VDS用多少V电压。

还望各位高手可以指教一下,非常感谢了。

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不必 “慢慢加电流到250uA”,而是直接施加250uA电流。这种使用恒流源进行测试的方法是生产过程中检测的方法。这样检测,非常快,节省时间。 4楼所说,是整机生产单位抽查物料时使用的方法。因为需要抽测的样品数不多,而且整机生产单位很少会准备250uA恒流源,但低电压输出的可调稳压源却很多,所以使用这种逐渐升高电压的方法。此方法比较慢,但不需要专用设备。   详情 回复 发表于 2020-5-15 09:43
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这里是不是说至少VDS=VGS?VGS=-1V

 

我觉得只要VDS小于-40V内

 
 
 

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VDS=-40V

 
 
 

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测试条件写得很清楚:VDS=VGS。就是说,D与G联接在一起,电压施加在D与S之间,逐渐升高到电流为250uA。电流升高到250uA时DS之间的电压(也就是G与S的电压)就是VGS(th)。

 
 
 

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“这是一个NMOS管的资料”

不对吧?从资料中看,这是P沟管,而不是N沟管。第一行就说明了Drain-Source Breakdown Voltage是-40V。此电压为负,就是D极比S极电位低,那一定是P沟管。其它各行亦如是。你画红色框的那行也是负值。

 
 
 

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楼主确实搞错

这个P

 
 
 

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1楼红框内,是栅极-源极阈值电压VGS(th)

Vgs的最小阀值电压为:-0.1V,在红框设定条件下,源极 和 漏极导通,且Vs = Vd ,S极电压等于D极电压

VDS多大取决于施加P管的S极电压,,,,

导通下肯定符合小于-40V内

 

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maychang 发表于 2020-5-14 13:40 “这是一个NMOS管的资料” 不对吧?从资料中看,这是P沟管,而不是N沟管。第一行就说明了Drai ...

我确实是打错了,这不是NMOS管,是PMOS管

 
 
 

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实际测量VGS(th)时,是将管子漏极门极联接在一起,用250uA恒流源对管子施加一个电流,同时测量管子的压降。当然,这个恒流源的最大输出电压不能太高,通常最高十几伏特。

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请问下,意思是将G和D极短路连接在一起,然后慢慢加电流到250uA,然后测量管子的VGSth么?  详情 回复 发表于 2020-5-15 09:24
 
 
 

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maychang 发表于 2020-5-15 07:22 实际测量VGS(th)时,是将管子漏极门极联接在一起,用250uA恒流源对管子施加一个电流,同时测量管子的压降。 ...

请问下,意思是将G和D极短路连接在一起,然后慢慢加电流到250uA,然后测量管子的VGSth么?

点评

不必 “慢慢加电流到250uA”,而是直接施加250uA电流。这种使用恒流源进行测试的方法是生产过程中检测的方法。这样检测,非常快,节省时间。 4楼所说,是整机生产单位抽查物料时使用的方法。因为需要抽  详情 回复 发表于 2020-5-15 09:43
 
 
 

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fdingy 发表于 2020-5-15 09:24 请问下,意思是将G和D极短路连接在一起,然后慢慢加电流到250uA,然后测量管子的VGSth么?

不必 “慢慢加电流到250uA”,而是直接施加250uA电流。这种使用恒流源进行测试的方法是生产过程中检测的方法。这样检测,非常快,节省时间。

4楼所说,是整机生产单位抽查物料时使用的方法。因为需要抽测的样品数不多,而且整机生产单位很少会准备250uA恒流源,但低电压输出的可调稳压源却很多,所以使用这种逐渐升高电压的方法。此方法比较慢,但不需要专用设备。

 
 
 

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