669|1

2万

帖子

337

资源

版主

电源问题汇总 [复制链接]

本帖最后由 qwqwqw2088 于 2020-4-20 11:52 编辑

一,客户端经常出现,电路正确,可以输出noise偏大,或者输出电流达不到芯片原有的规格,这个一般是和layout有关的。

下面以buck芯片为例:

360截图20200420114114002.jpg

从这张图明显可以看到寄生参数带来的影响

为了形象说明,我们以TPS62130为例来说明layout中要注意的问题:

360截图20200420114214130.jpg

从图中可以看到输入电容是尽量靠近芯片Vin脚。
有效隔离模拟GND和功率GND,在芯片底部短接。
SW脚充实规则(宽大,刚好接近电感PAD大小,同时尽量靠近SW,没有留下过多多余空间。
整个功率回路做到了尽量小。回路过大,寄生参数的影响也会加大,对于OCP的影响特别大,容易造成带载能力下降。


回复

2万

帖子

337

资源

版主

二,高压低电流方案

在客户的应用中经常会遇到一些高压低电流的方案需求,用一般芯片常规topy难以直接实现,下面通过升压芯片列举了三种方案:

     1. 升压芯片+耦合电感

     2. 升压芯片驱动高压MOS升压

     3.升压芯片+chargepump

下面通过升压芯片TPS61040, 用三种方案实现升压。TPS61040本身是1.8~6V输入,最高28V输出的升压芯片,而实现远高于28V以上的芯片。

客户可以依据不同的输入电压条件,以及负载电压电流需求选择不同的升压芯片,设计方式参考TPS61040即可。

 

升压芯片+耦合电感

360截图20200420114424291.jpg

这个设计主要注意SW电压,通过SW电压,依据常规的升压方式计算初级电感NP,计算如下:

360截图20200420114521768.jpg

升压芯片驱动高压MOS升压

360截图20200420114653011.jpg

这个设计在于芯片利用内置MOS驱动外部高压MOS,从而实现比原本升压芯片更高升压的需求。

 

升压芯片+chargepump

360截图20200420114728850.jpg

升压芯片加一级chargepump,以这个设计为例,输出50V,也就是不要chargepump时实际输出25V, 然后依据25V计算原本的TPS61040周边电感之类零件搭配。

除了增加一级chargepump倍压外,实际上这个电路还可以增加多级,例如两级chargepump实现100V输出,三级chargepump实现200V输入等。


回复
您需要登录后才可以回帖 登录 | 注册

最新文章 更多>>
    关闭
    站长推荐上一条 1/6 下一条

    About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

    站点相关: 安防电子 汽车电子 手机便携 工业控制 家用电子 医疗电子 测试测量 网络通信 物联网

    北京市海淀区知春路23号集成电路设计园量子银座1305 电话:(010)82350740 邮编:100191

    电子工程世界版权所有 京ICP证060456号 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2021 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved
    快速回复 返回顶部 返回列表