LTC4359做负载开关方案时，为啥烧MOS管？

hysdzgcsj2020

LTC4359做负载开关方案时，为啥烧MOS管？ [复制链接]

 

各位老师：如图片原理图，我使用LTC4359做了一个负载开关的方案，这里使用一对背靠背的MOS管。前面的MOS是充当负载开关，后面的MOS管是充当理想二极管。

我的应用需求是有两路直流电源，哪一路电压高，使用哪一路。BAT_MAIN是一路DC24V+；BAT_SLV是另一路DC24V+。我使用的MOS管是英飞凌：IPT015N10N5ATMA1，这个NMOS的参数是：VDSS=100V,IDS=300A,RDON=1.5MOHMS.

初步测试过程是：我先测试某一路的控制情况，如只测试第一个通道，接入BAT_MAIN=DC24V+,然后输出接了一个8欧姆的电阻。没有接单片机的控制信号，Q13，Q23(2N7002)这两个NMOS都没有焊接。相当于LTC4359的第5脚是悬空的。根据芯片手册，悬空时，芯片处于使能状态。通电后，系统有输出，负载电流3A左右。然后我用金属导线，将LTC4359的第5脚直接短接到芯片的地VSS,目的是要让芯片进入关断模式，进而关闭主回路上的Q11和Q12这两个NOMS管。达到让负载断电的效果。

      在将芯片SHDN短接到地的瞬间，我看到主回路前面的MOS（Q11）管冒烟了。

      断电后，我将前面的MOS拆掉.测量发现MOS处于击穿状态。  我重新更换一个新的MOS，同样的测试操作，发现还是前面的MOS冒烟了。连续测试了5遍。每次操作一样，每次都是烧前面那个MOS。

      我考虑MOS应该不是电压应力造成 的，系统24V，两倍才48V，管子是100V，300A的。

      为啥每次都是在将芯片SHDN拉低的过程中，前面的MOS冒烟呢。

     我在ADI官网论坛看有好几个人都遇到类似问题。ADI官方也没有给出明显的答复。

     请各位同行给点意见啊。感谢。

 

 

 

qwqwqw2088

电路是官方新品手册给的么

建议好好检查一下，特别是控制端G极连接

hysdzgcsj2020

qwqwqw2088 发表于 2020-2-3 08:58 电路是官方新品手册给的么 建议好好检查一下，特别是控制端G极连接

是官方推荐的。

hysdzgcsj2020

请看一下这个帖子。类似的问题。

qwqwqw2088

hysdzgcsj2020 发表于 2020-2-5 20:35 请看一下这个帖子。类似的问题。

采用背靠背mos没有问题

问题是Q12的MOS关的内阻要大，楼主采用的RDON=1.5MOHMS有点小了

 

 

qwqwqw2088

建议仔细查看官方的手册，弄懂这个mos作用

官方手册这里Q12位置的MOS管位置，建议用的是FDMS86101的内阻8 mOhms

 

hysdzgcsj2020

你好。前面一个MOS（标号Q11)是充当电子开关，控制输入到输出的路径；后面的MOS（标号Q12)是充当理想二极管，目的是阻断输出到输入的路径。请问你说的关断电阻要大，是啥意思?

qwqwqw2088

充当的是理想二极管，但是用MOS替代了

MOSFET的导通电阻RDS（ON）直接影响正向压降和功耗
建议仔细看手册MOSFET Selection的前后面的部分

或者就完全选用官方推荐的MOS型号，严格按手册推荐的元器件布局

 

 

 

 

hysdzgcsj2020

你好。我看了一下数据手册。这个芯片方案如果驱动一个背靠背的NOMS，是容易出问题的。这个芯片是动态调节GS电压的，前面的NMOS在GS电压发生变化时，SOA容易出问题。这样来驱动电子开关，是不合适的。

骏龙-jeffrey

365396080，骏龙代理商

tage008

前辈你好，请问这个问题最后解决了吗？最近也在看这个方案，想了解一下。

cw_tardis

 

他的一个测试板手册里边写了，使用shdn启动时最大负载电流，大功率负载基本不能用