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[求助] 低压MOS管体二极管反向击穿电压

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一粒金砂(高级)

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发表于 2020-1-15 17:11 | 显示全部楼层 |阅读模式

低压MOS管体二极管反向击穿电压

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发表于 2020-1-15 18:05 | 显示全部楼层

MOS管的datasheet中必有此体二极管反向击穿电压这个参数。通常该二极管反向击穿电压就等于MOS漏源最大电压V(BR)DSS

点评

G的控制电压会串到S或者D吗  ? V DSS 和V (BR)DSS 有哪些区别  详情 回复 发表于 2020-1-16 11:51
通常该二极管反向击穿电压就等于MOS漏源最大电压V(BR)DSS。-----------------你确定?这是两个不同的PN结  详情 回复 发表于 2020-1-16 10:28


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发表于 2020-1-15 18:08 | 显示全部楼层

首帖图中红色字体,说明你还没有弄清楚二极管正向电压、反向击穿电压、手册上标注的最大反向电压这几个量之间的关系。



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发表于 2020-1-15 19:07 | 显示全部楼层

首帖图中红色字体,提到 “如果开始施加正向电压是5V”,其实那是不可能出现的情况。普通二极管在正向电压上升达到5V之前就已经因为过热而烧毁了。

点评

理想的PN结,或是稳态条件确实如此,但真实的二极管以及脉冲电路中那倒未必。 通用二极管一般指工频二极管,现以1N400X系列为例,二极管是允许0.5个工频周期30倍脉冲电流。下图是安森美的规格书截图,取150度4A及  详情 回复 发表于 2020-1-16 17:54
就是VDS给5V  详情 回复 发表于 2020-1-16 10:29


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一粒金砂(初级)

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发表于 2020-1-16 06:24 来自手机 | 显示全部楼层
正向电压能给五伏吗


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纯净的硅(高级)

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发表于 2020-1-16 10:24 | 显示全部楼层

MOS的漏源电极有时是可以互换的,所以MOS的正向电压和它的耐压有关,正向电压的选择和MOS工作时的电流有关,只要不超过工作时的最大电流就可以了。

点评

只要信号电压小于Diode Forward Voltage ,同时电流小于IDS,就可以互换S和D是吗  详情 回复 发表于 2020-1-16 11:54
说到了关键点。有时候可以互换,这个有时候是哪些情况  详情 回复 发表于 2020-1-16 11:52


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 楼主| 发表于 2020-1-16 10:28 | 显示全部楼层
maychang 发表于 2020-1-15 18:05 MOS管的datasheet中必有此体二极管反向击穿电压这个参数。通常该二极管反向击穿电压就等于MOS漏源最大电压V ...

通常该二极管反向击穿电压就等于MOS漏源最大电压V(BR)DSS。-----------------你确定?这是两个不同的PN结

点评

“这是两个不同的PN结” MOS管中并没有 “两个不同的PN结”,实际上只有一个PN结。  详情 回复 发表于 2020-1-16 11:03
“你确定?” Of course。当然我确定,毫无疑问。  详情 回复 发表于 2020-1-16 11:01


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 楼主| 发表于 2020-1-16 10:29 | 显示全部楼层
maychang 发表于 2020-1-15 19:07 首帖图中红色字体,提到 “如果开始施加正向电压是5V”,其实那是不可能出现的情况。普通二极管 ...

就是VDS给5V

点评

MOS管VDS对体内二极管来说,恰是反向电压而非正向电压。 我在4楼,jflbr在5楼,都说过二极管正向电压通常不可能达到5V之高。  详情 回复 发表于 2020-1-16 11:07


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发表于 2020-1-16 11:01 | 显示全部楼层
QWE4562009 发表于 2020-1-16 10:28 通常该二极管反向击穿电压就等于MOS漏源最大电压V(BR)DSS。-----------------你确定?这是两个不同的PN结 ...

“你确定?”

Of course。当然我确定,毫无疑问。



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发表于 2020-1-16 11:03 | 显示全部楼层
QWE4562009 发表于 2020-1-16 10:28 通常该二极管反向击穿电压就等于MOS漏源最大电压V(BR)DSS。-----------------你确定?这是两个不同的PN结 ...

“这是两个不同的PN结”

MOS管中并没有 “两个不同的PN结”,实际上只有一个PN结。



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发表于 2020-1-16 11:07 | 显示全部楼层

MOS管VDS对体内二极管来说,恰是反向电压而非正向电压。

我在4楼,jflbr在5楼,都说过二极管正向电压通常不可能达到5V之高。



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 楼主| 发表于 2020-1-16 11:51 | 显示全部楼层
maychang 发表于 2020-1-15 18:05 MOS管的datasheet中必有此体二极管反向击穿电压这个参数。通常该二极管反向击穿电压就等于MOS漏源最大电压V ...

G的控制电压会串到S或者D吗  ?

V DSS 和V (BR)DSS 有哪些区别

点评

“G的控制电压会串到S或者D吗?” 绝缘栅场效应管门极与源极、门极与漏极之间存在分布电容,门极电位变化显然会影响源极或者漏极,使源极或者漏极产生电流。  详情 回复 发表于 2020-1-16 12:26
VDS是实际施加到漏极与源极之间的电压,实际使用时不可超过厂家提供的datasheet中的允许最大值。V(BR)DS是厂家提供的datasheet中规定的施加于漏极与源极之间允许的电压最大值。 二者都是对N沟管来说漏极为正源极  详情 回复 发表于 2020-1-16 12:06


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 楼主| 发表于 2020-1-16 11:52 | 显示全部楼层
bigbat 发表于 2020-1-16 10:24 MOS的漏源电极有时是可以互换的,所以MOS的正向电压和它的耐压有关,正向电压的选择和MOS工作时的电流有关 ...

说到了关键点。有时候可以互换,这个有时候是哪些情况

点评

具有体内二极管的绝缘栅功率场效应管,在充分导通时,漏极源极之间相当于一个比较小的电阻,无论漏极源极哪个是正哪个是负。该电阻上的压降若是远小于体内二极管正向压降,那么体内二极管此时没有作用——  详情 回复 发表于 2020-1-16 12:23
绝缘栅场效应管和结型场效应管在很多情况下尤其是小功率管漏极和源极是对称的,对称的漏极和源极当然可以互换。 但某些绝缘栅场效应管漏极和源极不对称,绝大多数功率绝缘栅场效应管都是如此。不对称的漏极和源极  详情 回复 发表于 2020-1-16 12:10


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 楼主| 发表于 2020-1-16 11:54 | 显示全部楼层
bigbat 发表于 2020-1-16 10:24 MOS的漏源电极有时是可以互换的,所以MOS的正向电压和它的耐压有关,正向电压的选择和MOS工作时的电流有关 ...

只要信号电压小于Diode Forward Voltage ,同时电流小于IDS,就可以互换S和D是吗

点评

有些场效应管并没有体内二极管,这样的场效应管不必考虑什么电压电流,漏极源极可以互换。 具有体内二极管的场效应管漏极源极不能互换,但与信号电压电流无关。  详情 回复 发表于 2020-1-16 12:13


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发表于 2020-1-16 12:06 | 显示全部楼层
QWE4562009 发表于 2020-1-16 11:51 G的控制电压会串到S或者D吗  ? V DSS 和V (BR)DSS 有哪些区别

VDS是实际施加到漏极与源极之间的电压,实际使用时不可超过厂家提供的datasheet中的允许最大值。V(BR)DS是厂家提供的datasheet中规定的施加于漏极与源极之间允许的电压最大值。

二者都是对N沟管来说漏极为正源极为负,对P沟管来说漏极为负源极为正。



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发表于 2020-1-16 12:10 | 显示全部楼层
QWE4562009 发表于 2020-1-16 11:52 说到了关键点。有时候可以互换,这个有时候是哪些情况

绝缘栅场效应管和结型场效应管在很多情况下尤其是小功率管漏极和源极是对称的,对称的漏极和源极当然可以互换。

但某些绝缘栅场效应管漏极和源极不对称,绝大多数功率绝缘栅场效应管都是如此。不对称的漏极和源极显然不能互换。此类绝缘栅场效应管内部由于制造工艺的原因,都带有体内二极管。



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发表于 2020-1-16 12:13 | 显示全部楼层
QWE4562009 发表于 2020-1-16 11:54 只要信号电压小于Diode Forward Voltage ,同时电流小于IDS,就可以互换S和D是吗

有些场效应管并没有体内二极管,这样的场效应管不必考虑什么电压电流,漏极源极可以互换。

具有体内二极管的场效应管漏极源极不能互换,但与信号电压电流无关。

点评

当然和信号有关系   如果没有达到导通的电压,就算电流和体二极管同向也是没问题的  详情 回复 发表于 2020-1-16 13:47
据我了解都有体二极管,有不带体二极管的MOS?  详情 回复 发表于 2020-1-16 13:43


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发表于 2020-1-16 12:23 | 显示全部楼层
QWE4562009 发表于 2020-1-16 11:52 说到了关键点。有时候可以互换,这个有时候是哪些情况

具有体内二极管的绝缘栅功率场效应管,在充分导通时,漏极源极之间相当于一个比较小的电阻,无论漏极源极哪个是正哪个是负。该电阻上的压降若是远小于体内二极管正向压降,那么体内二极管此时没有作用——正向反向均不可能导通。此时该场效应管的漏极源极可以互换(相当于这个比较小的电阻两端互换)。

点评

也就是导通旁路了体二极管咯?现在讨论的是关MOS的时候  体二极管不要影响到“关”这个特性  详情 回复 发表于 2020-1-16 13:44


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发表于 2020-1-16 12:26 | 显示全部楼层
QWE4562009 发表于 2020-1-16 11:51 G的控制电压会串到S或者D吗  ? V DSS 和V (BR)DSS 有哪些区别

“G的控制电压会串到S或者D吗?”

绝缘栅场效应管门极与源极、门极与漏极之间存在分布电容,门极电位变化显然会影响源极或者漏极,使源极或者漏极产生电流。

点评

这个问题答非所问了   详情 回复 发表于 2020-1-16 13:39


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 楼主| 发表于 2020-1-16 13:39 | 显示全部楼层
maychang 发表于 2020-1-16 12:26 “G的控制电压会串到S或者D吗?” 绝缘栅场效应管门极与源极、门极与漏极之间存在分布电容 ...

这个问题答非所问了 

点评

你的问题,本来就是对场效应管及其电路的最粗略的叙述。能够得到回复,就不错了。  详情 回复 发表于 2020-1-16 14:25


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