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[分享] 怎么看,TI官方应用手册-升压原理中问题

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发表于 2020-1-6 16:13 | 显示全部楼层 |阅读模式

问题:

附上TI升压原理文档,请问TI有降压DC芯片计算原理跟LDO原理计算文档吗?

两个公式有疑惑

1.占空比计算公式哪个正确?

D=(Vo-Vi)/Vo与D=1-Vi*n/Vo(其中n为效率),哪个公式正确?

2.开关峰值公式是不是分降压跟升压?

降压中会看到Isw=Iload+IL/2(其中IL为纹波电流 ),但是在升压中看到公式为 Isw=Iload/(1-D)+IL/2(其中IL为纹波电流 ),所以是不是区分升降压?

回答1:

   带效率的计算更加准确,只是我们一般按照前面一个计算,比较简洁。一般效率再90%左右,所以两者计算差别也不大。

    升压降压计算当然不一样,topy不一样,差别很大的。

回答2:

1、不一定哪一个准确,象第一个,如果是buck电路,工作再CCM模式下,那个占空比的公式是根据伏秒平衡来的,跟效率是没有关系的。

2、这个是跟拓扑有关的,不同的拓扑,峰值电流与输出电流的关系是不一样的。

 

 



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