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[分享] 你知道射频领域未来的明星材料吗?

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纯净的硅(初级)

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发表于 2019-10-30 09:17 | 显示全部楼层 |阅读模式
随着5G时代到来,射频领域对半导体器件性能、效率、小型化的要求越来越高,传统以硅 (Si)、锗 (Ge)为代表的第一代半导体材料逐渐无法满足5G时代的需求,因此,半导体材料发生了革命性的变革-第二代和第三代半导体材料诞生了。特别是,第三代半导体材料,由于其具有较大的带宽宽度,较高的击穿电压 (breakdown voltage),耐压与耐高温性能良好,因此更适用于制造高频、高温、大功率的射频组件,正是凭借着优异的性能,他们早已成为当前各国半导体公司竞相布局的焦点。

 

上面说了这么多,下面就给大家具体介绍一下,第二代和第三代半导体材料有哪些:
 
  • 第二代半导体是以砷化镓 (GaAs)、磷化铟 (InP) 等化合物为代表;

  • 第三代半导体材料是以氮化镓 (GaN)、碳化硅 (SiC)、硒化锌 (ZnSe) 等宽带半导体原料为

 
 

这里,给大家主要推荐砷化镓 (GaAs)和氮化镓 (GaN)。为什么主推这两种材料呢?射频半导体厂商Qorvo在“射频领域的明星材料:砷化镓和氮化镓”中给出了主要理由。请点击“射频领域的明星材料:砷化镓和氮化镓”浏览。

 

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发表于 2019-10-30 23:33 | 显示全部楼层

GaN 是未来最具增长潜力的化合物半导体。GaAs 作为最成熟的化合物半导体之一,是智能手机零组件中,功率放大器 (PA) 的基石。

点评

你好厉害啊,说的好到位。  详情 回复 发表于 2019-10-31 09:25


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 楼主| 发表于 2019-10-31 09:25 | 显示全部楼层
led2015 发表于 2019-10-30 23:33 GaN 是未来最具增长潜力的化合物半导体。GaAs 作为最成熟的化合物半导体之一,是智能手机零组件中,功 ...

你好厉害啊,说的好到位。



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