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5G和AI驱动存储武汉中证通专业谈给移动存储带来什么

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一粒金砂(初级)

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发表于 2019-10-9 13:39 | 显示全部楼层 |阅读模式

存储器是一个风高浪疾,竞争激烈的行业,不仅因为市场价格变动急剧,新一代技术的出现与应用也往往会对现有产业格局产生巨大影响。3D XPoint是美光科技重点布局的新一代存储技术,旨在填补DRAM和NAND闪存之间的存储市场空白。

目前,美光科技的3D XPoint开发和商业化进程正在加速。根据拉杰·塔鲁里的介绍,美光科技的3D Xpoint产品将于2019年年底推向市场。3D XPoint的读写速度比NAND更快,成本低于DRAM,且具有非易失性,有望在缓存应用中作为DRAM的有效替代品——使用3D XPoint技术实现缓存,可以以更低的成本达到接近DRAM缓存的性能。根据市场分析机构的预测,到2024年,3D XPoint有可能形成37亿美元的市场规模。

存储行业何时会采用EUV光刻工艺同样是业界关注的重点。今年台积电、三星等公司将在逻辑芯片生产中采用EUV量产7nm产品。但是,存储芯片对于采用EUV并不如逻辑芯片那样迫切。目前,DRAM主流的还在18nm工艺,其中18nm属于1Xnm节点(16nm——19nm之间),后面的1Ynm则是14nm——16nm之间,1Z大概是12nm到14nm。再之后,还有1α及1β工艺。

拉杰·塔鲁里认为,是否采用EUV考量的关键在于芯片生产的成本和效率。“我们现在使用的多重图形曝光技术相比使用EUV在成本和效率上的优势更加明显。现在我们已经推进到1α节点,我们觉得做到1β、1γ节点,现有的多重图形曝光技术在成本上都会更加有优势。但是在1γ之后,我们有可能会尝试采用EUV。我们会进行成本效率分析,如果证明成本效率更优就会考虑采用。当然,前期我们会投入了资金,进行相关工艺的探索和开发。”拉杰·塔鲁里说。

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