基于模型的 GaN PA 设计基础知识：GaN 晶体管 S 参数、线性稳定性分析与电阻稳定性

alan000345

基于模型的 GaN PA 设计基础知识：GaN 晶体管 S 参数、线性稳定性分析与电阻稳定性 [复制链接]

给大家推荐一篇“基于模型的 GaN PA 设计基础知识 ”，主要讨论 GaN HEMT 非线性模型对快速高效实现功率放大器 (PA) 设计的重要性。

在简单的线性射频/微波放大器设计中，一般利用s参数匹配使增益和增益平坦度最大。同样也会利用这些 S 参数数据来开发匹配网络，以解决放大器稳定性问题。本文讨论在设计氮化镓 (GaN) 功率放大器 (PA) 过程中，使用模型模拟基本的 S 参数和稳定性分析的重要性。文中介绍使用模型和电阻稳定性技术来帮助避免设备不稳定，从而避免影响非线性和线性仿真。 

该文中结合了公式和史密斯圆图来介绍的，相信对每个工程师来说都是难得的好理论基础知识，让您从基础上了解如何来设计自己的产品，对大家的研发一定帮助很大的。赶快点击阅读吧。

 

btty038

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alan000345

btty038 发表于 2019-9-16 08:54 学习学习

谢谢。