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QORVO提前布局的下一代5G [复制链接]

QORVO® 首款 39GHZ 双通道 GAN FEM 支持实现下一代 5G 无线网络

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北卡罗来纳州格林斯巴勒市– 2017 年6月1日–移动应用、基础设施与航空航天、国防应用中 RF 解决方案的领先供应商 Qorvo®(纳斯达克代码:QRVO)今日宣布推出业界首款适用于 39GHz 5G 频段的碳化硅基氮化镓 (GaN-on-SiC) 前端模块 (FEM) 。这款 FEM 设计独特 – 在小尺寸里集成了两个强大的多功能 GaN MMIC – 解决了电信设备制造商在设计 5G 基站时面临的复杂挑战。

Strategy Analytics 高级半导体应用服务总监 Eric Higham 表示:“随着移动设备技术和应用的持续进步,要求网络基础设施不仅能够支持不断增长的数据速率,同时要显著降低延迟。Qorvo的QPF4005 等 FEM 能够解决下一代毫米波系统的挑战。”

Qorvo 基础设施与国防产品部门总裁 James Klein 表示:“Qorvo 发布的业界首款适用于 39GHz 的双通道 GaN 前端模块,对于实现 5G 固定无线网络至关重要。 QPF4005 结合了我们的毫米波专业知识和经现场检验的 GaN-on-SiC 工艺技术,能够帮助电信运营商快速、经济高效地向家庭和移动热点提供更多数据。

双通道 QPF4005 采用 Qorvo 高效的 0.15 微米 GaN-on-SiC 技术构建。它将两个相同的多功能 GaN MMIC 集成到一个小尺寸封装中,并针对 39GHz 下的相控阵元件间距进行了优化。每个 MMIC 都包含一个低噪声放大器、一个 SPDT 开关和一个功率放大器。

T电信设备制造商通过 Qorvo 的 GaN-on-SiC 技术可显著改善效率和工作带宽。Qorvo 的 GaN-on-SiC 产品具有高功率密度、小尺寸、增益出色、高可靠性和工艺成熟的特点,早在2000年就开始批量生产。有关 Qorvo 的 GaN-on-SiC 产品优势的更多信息,请参见 这里 和观看 视频 。

39GHz QPF4005 FEM 的工程样品现已上市。

QPF4005 9GHz 双通道 GaN MMIC FEM
频段:39GHz (37-40.5 GHz)
双通道:每个封装 2 个 GaN MMIC
MMIC:3级 PA,3级 LNA,低损耗 T/R 开关
平均功率:23 dBm (支持 QAM256 OFDM 调制)
封装:4.5x6mm AC-EHSL (为满足严苛的栅格间距要求而设计)
此帖出自RF/无线论坛
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