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[分享] 一种P-MOS驱动电路

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五彩晶圆(中级)

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发表于 2019-9-7 12:07 | 显示全部楼层 |阅读模式

R6两端的脉冲电压幅值= (PWM电压幅值-Vbe)*R6/RE

R4=(PWM电压幅值-Vbe)/(IO允许电流*hFE)

C取值与CISS相当,假如等效为3nF, 再设hFE=100, IO允许电流5mA,则Q2栅源极间的脉冲上升沿约30nS 

来源:EEWorld 电路观察室板块,转载请附上链接

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五彩晶圆(中级)

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 楼主| 发表于 2019-9-7 12:11 | 显示全部楼层

时间常数15.6nS,脉冲边沿一般定义为从0.1升至0.9,故上升沿取2倍时间常数

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maychang

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发表于 2019-9-7 14:05 | 显示全部楼层

“C取值与CISS相当,假如等效为3nF……”

还要考虑C值若是大了些,会不会使Q2门极充电过度而被击穿。



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maychang

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发表于 2019-9-7 14:06 | 显示全部楼层

“C取值与CISS相当,假如等效为3nF……”

还要考虑C值若是大了些,会不会使Q2门极充电过度而被击穿。

点评

C过大肯定有风险,宜偏小此,确保在2倍时间常数渡过密勒平台进入可变电阻区即可(MOSFET的开过程,实际上主要在密肋平台这一小段  详情 回复 发表于 2019-9-7 15:12


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五彩晶圆(中级)

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 楼主| 发表于 2019-9-7 15:12 | 显示全部楼层
maychang 发表于 2019-9-7 14:06 “C取值与CISS相当,假如等效为3nF……” 还要考虑C值若是大了些,会不会使Q2门 ...

C过大肯定有风险,宜偏小此,确保在2倍时间常数渡过密勒平台进入可变电阻区即可(MOSFET的开过程,实际上主要在密肋平台这一小段

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