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双向可控硅的特点

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一粒金砂(初级)

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发表于 2019-8-2 14:15 | 显示全部楼层 |阅读模式

  “双向可控硅”:是在普通可控硅的基础上发展而成的,它不仅能代替两只反极性并联的可控硅,而且仅需一个触发电路,是比较理想的交流开关器件。其英文名称TRIAC即三端双向交流开关之意。
  双向可控硅可被认为是一对反并联连接的普通可控硅的集成,工作原理与普通单向可控硅相同。双向可控硅有两个主电极T1和T2, 一个门极G, 门极使器件在主电极的正反两个方向均可触发导通,所以双向可控硅在第1和第3象限有对称的伏安特性。双向可控硅门极加正、负触发脉冲都能使管子触发导通,因此有四种触发方式。双向可控硅应用为正常使用双向可控硅,需定量掌握其主要参数,对双向可控硅进行适当选用并采取相应措施以达到各参数的要求。
  ·耐压级别的选择: 通常把VDRM(断态重复峰值电压)和 VR R M(反向重复峰值电压)中较小的值标作该器件的额定电压。 选用时,额定电压应为正常工作峰值电压的2~3倍,作为允许的操作过电压裕量。
  ·电流的确定: 由于双向可控硅通常用在交流电路中,因此不用平均值而用有效值来表示它的额定电流值。由于可控硅的过载能力比一般电磁器件小,因而一般家电中选用可控硅的电流值为实际工作电流值的2~3倍。 同时, 可控硅承受断态重复峰值电压VD R M 和反向重复峰值电压 V R R M 时的峰值电流应小于器件规定的IDRM 和 IRRM。
  ·通态(峰值)电压 VT M 的选择: 它是可控硅通以规定倍数额定电流时的瞬态峰值压降。为减少可控硅的热损耗,应尽可能选择VT M 小的可控硅。
  ·维持电流: IH 是维持可控硅保持通态所必需的最小主电流,它与结温有关,结温越高, 则 IH 越小。
  ·电压上升率的抵制: dv/dt指的是在关断状态下电压的上升斜率,这是防止误触发的一个关键参数。此值超限将可能导致可控硅出现误导通的现象。由于可控硅的制造工艺决定了 A2 与 G 之间会存在寄生电容。
  制造商零件编号:Z00607MA 1BA2 www.dzsc.com/ic-detail/9_2436.html
  制造商:STMicroelectronics
  描述:TRIAC SENS GATE 600V 0.8A TO92-3
  系列:-
  三端双向可控硅类型:逻辑 - 灵敏栅极
  电压 - 断态:600V
  电流 - 通态 (It (RMS))(最大值):800mA
  电压 - 栅极触发 (Vgt)(最大值):1.3V
  电流 - 不重复浪涌 50、60Hz (Itsm):9A,9.5A电流 - 栅极触发 (Igt)(最大值):5mA电流 - 保持 (Ih)(最大值):5mA配置:单一安装类型:通孔
  封装/外壳:TO-226-3,TO-92-3 标准主体
  供应商器件封装:TO-92-3
  数据列表:Z00607
  产品相片:TO-92-3(StandardBody),TO-226_straightlead其它有关文件:Z00607 View All Specifications产品培训模块:AC Switches Family, Part OneAC Switches Family, Part Two标准包装  :2,500类别:分立半导体产品
  家庭:双向可控硅
  系列:-
  包装  :散装
  三端双向可控硅类型:逻辑 - 灵敏栅极
  电压 - 断态:600V
  电流 - 通态 (It (RMS))(最大值):800mA
  电压 - 栅极触发 (Vgt)(最大值):1.3V
  电流 - 不重复浪涌 50、60Hz (Itsm):9A,9.5A电流 - 栅极触发 (Igt)(最大值):5mA电流 - 保持 (Ih)(最大值):5mA配置:单一
  安装类型:通孔
  封装/外壳:TO-226-3、TO-92-3 标准主体
  供应商器件封装:TO-92-3
  产品目录页面:1557 (CN2011-ZH PDF)
  其它名称:497-7699
  Z00607MA 1BA2-ND
  Z00607MA1BA2

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