1.说到NMOS的导通条件 只需要VGS＞0即可 可是导通之后VS不是会大于VG吗？ 2.我们...

QWE4562009

1.说到NMOS的导通条件 只需要VGS＞0即可 可是导通之后VS不是会大于VG吗？ 2.我们... [复制链接]

1.说到NMOS的导通条件 只需要VGS＞0即可  可是导通之后VS不是会大于VG吗？

2.我们注意到全桥驱动需要自举电路 ，这是什么原因

maychang

“可是导通之后VS不是会大于VG吗？”

没有此事。导通之后，Vs是Vs，Vg是Vg。Vs大于Vg，对N沟功率MOS管，不可能导通。
 

maychang

“我们注意到全桥驱动需要自举电路 ，这是什么原因”

全桥或者半桥，上面那支N沟功率MOS管的源极电位是时刻在变化的，门极与源极之间的电压必须叠加在源极对地的电压上。所以，要么“自举”，要么使用独立的隔离电源为驱动电路供电。

qiushenghua

1.说到NMOS的导通条件 只需要VGS＞0即可  可是导通之后VS不是会大于VG吗？

导通条件是Vgs>Vth，而非Vgs>0

导通之后，Vd~=Vs，Vg是输入信号，不会受导通条件影响。

2.我们注意到全桥驱动需要自举电路 ，这是什么原因

全桥驱动电路，一般上管Vs=供电电压Vdd，要让Vgs>Vth，那么就需要一个大于Vdd的电压。

故需要自举电路升压，以便于提供这个驱动电压Vg。

QWE4562009

qiushenghua 发表于 2019-6-19 19:58 1.说到NMOS的导通条件 只需要VGS＞0即可  可是导通之后VS不是会大于VG吗？ 导通条件是Vg ...

我知道啊  可是导通之后 VS是会＞vg的啊  

qiushenghua

QWE4562009 发表于 2019-6-20 14:16 我知道啊  可是导通之后 VS是会＞vg的啊  

导通之后为什么Vs会>Vg？

导通的是DS极，而不是GS极

Vg是你自己给的信号。

 

莫非楼主的意思是全桥的上管漏极电压Vd=器件供电电压Vdd，所以导通之后Vs被拉高到Vdd，于是Vs>Vg？

没错，正因为如此，所以才需要自举电路，将Vg提高到Vdd+Vth以上，才能保证管子导通。

不然导通之后Vs>Vg，Vgs<0，管子立马又关掉了。

QWE4562009

qiushenghua 发表于 2019-6-20 14:25 导通之后为什么Vs会>Vg？ 导通的是DS极，而不是GS极 Vg是你自己给的信号。   莫非楼 ...

邱总  我的意思是不管是全桥上管  还是单个MOS驱动电路   只要DS导通之后  S的电压不是会拉高吗？拉高之后VS会不会就大于Vg？

qiushenghua

QWE4562009 发表于 2021-6-23 15:39 邱总  我的意思是不管是全桥上管  还是单个MOS驱动电路   只要DS导通之后  S的 ...

是这样，所以驱动NMOS需要一个比D/S电压均高的电压来驱动。

一般我们用自举电路来实现。

QWE4562009

qiushenghua 发表于 2021-6-24 11:16 是这样，所以驱动NMOS需要一个比D/S电压均高的电压来驱动。 一般我们用自举电路来实现。

NOMS放在低端不是可以直接用电源电压驱动吗？

qiushenghua

QWE4562009 发表于 2021-6-24 14:29 NOMS放在低端不是可以直接用电源电压驱动吗？

NMOS放低端容易驱动，这是事实，可是很多情况下MOS是需要放在高端的。

例如你说的全桥就是，两个低端MOS，两个高端MOS。

 

低端MOS不需要自举电路也能驱动，如果高端MOS用N-MOS的话，就需要用到自举电路了。