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[求助] 存储器选型

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一粒金砂(初级)

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发表于 2019-5-28 11:29 | 显示全部楼层 |阅读模式
项目需要每40us存储一次数据,在存储器选型方面遇到了问题,
1. flash是否可行:我看flash的擦除时间都有50多us,这样在擦除的过程中岂不是不可以存储数据了?有没有擦除时间更短的flash,还是说flash的特性就是这样
2. RAM是不是就不存在擦写时间长的问题?
此帖出自ARM技术论坛


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技术导师勋章

发表于 2019-5-28 13:42 | 显示全部楼层
擦除时间长于写入周期显然无法满足应用的需求,而且除了擦除时间还得考虑写入时间,二者之和满足写入周期才行。另外,长期写入的话,对于FLASH这类存在写入次数限制的存储器还需要考虑使用寿命问题。显然,你这样的应用使用RAM才是更合适的。如果需要掉电非易失,可以加后备数据保持电源或者采用RAM+FLASH的办法。
上传了一些书籍资料,也许有你想要的:http://download.eeworld.com.cn/user/chunyang


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版主

Rank: 6Rank: 6

技术导师勋章

发表于 2019-5-28 13:42 | 显示全部楼层
补充:RAM不存在什么擦除时间问题,直接覆盖写入即可。
上传了一些书籍资料,也许有你想要的:http://download.eeworld.com.cn/user/chunyang


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纯净的硅(中级)

Rank: 5Rank: 5

发表于 2019-5-28 14:11 | 显示全部楼层
可以参考一下我司的存储器产品目录: 英尚微电子产品目录2018-12-12.pdf (1.17 MB, 下载次数: 0)
存储芯片/MCU/SRAM/PSRAM/DDR/FLASH/MRAM。web.www.sramsun.com  QQ3161422826 TEL:13751192923


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一粒金砂(中级)

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发表于 2019-5-28 14:28 | 显示全部楼层
FRAM 也许适合你


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一粒金砂(中级)

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发表于 2019-5-28 17:27 | 显示全部楼层
数据量不大用铁电,数据量大,用铁电+ SST  flash


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宇宙尘埃

发表于 2019-5-29 09:50 | 显示全部楼层


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