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[求助] MOS管的几个参数一直没弄明白,请帮忙解释一下。

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一粒金砂(中级)

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发表于 2019-5-27 17:35 | 显示全部楼层 |阅读模式
图中几个mos管的几个参数,一直没弄明白,请帮忙解释一下。

123.png
此帖出自模拟电子论坛


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maychang

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发表于 2019-5-27 18:22 | 显示全部楼层
温度用大写T表示。下标A指Ambient,即环境(空气)。下标C指Case,即管壳。
所以第一个框中第一行表示管壳温度25摄氏度时连续漏极电流50A,管壳温度100摄氏度时连续漏极电流40A。第二行表示脉冲漏极电流120A。
第二个框中,是环境温度和管壳温度为定值时允许多功率耗散值。
第三个框中,是三种测试条件下的热阻。

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谢谢 你的解答  详情 回复 发表于 2019-5-28 09:00


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版主

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发表于 2019-5-27 20:24 | 显示全部楼层
第三框是有关结点的环境热特性介绍的资料比较多
论坛资料中心一篇参考一下
360截图20190527202810342.jpg

http://download.eeworld.com.cn/detail/pycv/562462

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好的 十分感谢  详情 回复 发表于 2019-5-28 09:00


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一粒金砂(中级)

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 楼主| 发表于 2019-5-28 09:00 | 显示全部楼层
maychang 发表于 2019-5-27 18:22
温度用大写T表示。下标A指Ambient,即环境(空气)。下标C指Case,即管壳。
所以第一个框中第一行表示管壳温 ...

谢谢 你的解答


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一粒金砂(中级)

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 楼主| 发表于 2019-5-28 09:00 | 显示全部楼层
qwqwqw2088 发表于 2019-5-27 20:24
第三框是有关结点的环境热特性介绍的资料比较多
论坛资料中心一篇参考一下


http://download.eeworld. ...

好的 十分感谢


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纯净的硅(中级)

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发表于 2019-5-28 10:19 | 显示全部楼层
关于雪崩电流,网上也摘抄了一段供大家学习评判,如有错漏,本人概不负责:

IAR - 重复雪崩电流, A = Avalanche, R= Repetitive
IAS - 单次雪崩电流, A = Avalanche, S = Single
ID - 连续工作电流
ID与IAR和IAS没有可比性,ID是持续电流,而IAR和IAS都是脉冲电流。
平时我们如果说雪崩电流必须指明是重复还是单次,如果不指明是IAR和IAS,谁也不知道你在讲什么。

MOS管发生雪崩一定是DS电压超过了MOS管的耐压,这在反激电源上比较明显,D上面的尖峰电压常会超出MOS管的耐压,有时是连续的,有时是偶尔一次,比如开机瞬间。

DS脉冲电压超过MOS管的耐压会不会使MOS管击穿?当然会,但MOS管击穿后会不会坏呢?不一定,MOS管一旦被脉冲高压击穿雪崩现象就出现了,此时漏源电压不是被击穿为0,而是维持在比标称耐压更高的电压上,此时流过漏极的电流就是雪崩电流,如果这很高的脉冲电压是重复出现的则称重复雪崩电流 -IAR,如果是单个脉冲电压则称单次雪崩电流 - IAS。

不管是IAR还是IAS都会使MOS管发热,如果IAR或IAS能量过大,并且MOS管如果散热不良,则时间长了MOS管还是会过热烧毁。

平时选择MOS管的耐压一般要放10%的余量,但瞬时高压脉冲是防不胜防的,不过不要担心,有了雪崩效应,这种高压通常不会造成MOS管的损坏。

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明白了 谢谢 你的解答  详情 回复 发表于 2019-6-3 09:42


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一粒金砂(中级)

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 楼主| 发表于 2019-6-3 09:42 | 显示全部楼层
topwon 发表于 2019-5-28 10:19
关于雪崩电流,网上也摘抄了一段供大家学习评判,如有错漏,本人概不负责:

IAR - 重复雪崩电流, A = A ...

明白了 谢谢 你的解答


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