社区导航

 

搜索
查看: 649|回复: 0

[分享] TI HVI 电源技术详解 2019

[复制链接]

24

TA的帖子

0

TA的资源

管理员

Rank: 13Rank: 13Rank: 13Rank: 13

发表于 2019-4-17 15:48 | 显示全部楼层 |阅读模式
HVI 系列: 门驱动器设计
最常见栅极驱动器缺陷及如何解决, 内容包括与驱动器偏置、自举电源以及生成高侧偏置所必需的组件选择相关的缺陷。讨论功能引脚开路的影响以及栅极驱动器电路中 dv/dt 噪声的影响。寄生效应,展示与糟糕的布局相关的问题及其纠正。

HVI 系列: 高功率密度和高效率适配器的设计考虑
讨论高功率密度、高效率适配器的设计注意事项。涉及驱动交流/直流适配器的基本要求并简单介绍有源钳位反激式拓扑和德州仪器 (TI) 的 UCC28780 控制器。还将涉及高功率密度适配器的一些重要设计注意事项。回顾基于 GaN 的 65 瓦 USB PD 适配器设计。

HVI 系列: 解除有源钳反激回路补偿的神秘化
本次演示的主题是揭开有源钳位反激式环路补偿的神秘面纱,本部分涵盖了针对 ACF 的转换模式和 CCM 模式进行的小信号属性分析

HVI 系列: 用GaN设计可靠的高密度功率解决方案
探讨如何利用 TI 的 GaN 功率级设计可靠的高密度电源解决方案。介绍 GaN 在电源性能方面的优势以及 TI 在 GaN 功率级中集成驱动器和保护功能的益处。说明GaN 相较于硅超结 MOSFET 的优势以及 TI 集成功率级相较于分立式 GaN 器件的优势。

HVI 系列: 掌握高压门驱动器设计的艺术和基础
探讨专为 UPS、电信和服务器等各种应用中的MOSFET、IGBT 和宽带隙器件(例如碳化硅和氮化镓)设计的高压栅极驱动器。介绍栅极驱动器应用并说明低侧驱动器、高侧和低侧驱动器以及隔离式栅极驱动器。

HVI 系列: 掌握隔离门驱动器的稳健性 - CMTI 的深入研究

共模瞬态抗扰度CMTI用于处理两个独立接地基准(例如隔离式栅极驱动器)之间的差分电压。在本次培训中,我们会介绍 TI 的隔离器栅极驱动器系列,并深入讨论栅极驱动器隔离、CMTI 的定义、标准要求以及验证、测量和设计注意事项。
此帖出自电源技术论坛


回复

使用道具 举报

您需要登录后才可以回帖 登录 | 注册

关闭

站长推荐上一条 1/4 下一条

  • 论坛活动 E手掌握

    扫码关注
    EEWORLD 官方微信

  • EE福利  唾手可得

    扫码关注
    EE福利 唾手可得

Archiver|手机版|小黑屋|电子工程世界 ( 京ICP证 060456 )

GMT+8, 2020-4-3 16:46 , Processed in 0.079191 second(s), 17 queries , Gzip On, MemCache On.

快速回复 返回顶部 返回列表