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安_然

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五彩晶圆（初级）
楼主
发表于2010-6-4 15:11 只看该作者
 

影响自举电路的5个因素 [复制链接]

1. Gate Charge required to enhance MGT
2. Iqbs - quiescent current for the high side driver circuitry
3. Currents within the level shifter of the control IC
4. MGT gate-source forward leakage current
5. Bootstrap capacitor leakage current
required, control, current, forward, within
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振动试验仪器
 Iqbs - quiescent current for the high side driver circuitry iqbs-高侧驱动器电路的静态电流   详情 回复 发表于 2024-7-11 01:40
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安_然

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五彩晶圆（初级）
沙发
 楼主| 发表于2010-6-4 15:12 只看该作者
 
notice :第5点为电解电容时才需要考虑
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beyond_笑谈
对的，并且自举电容基本上是MLCC，没见过采用电解电容的  详情 回复 发表于 2024-7-8 14:55
 
个人签名工程 = 数学＋物理＋经济
 
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beyond_笑谈

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发表于2024-7-8 14:55 只看该作者
 
安_然 发表于 2010-6-4 15:12 notice :第5点为电解电容时才需要考虑

对的，并且自举电容基本上是MLCC，没见过采用电解电容的

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振动试验仪器

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纯净的硅（中级）
4楼
发表于2024-7-11 01:37 只看该作者
 

Gate Charge required to enhance MGT

 提高mgt所需的栅极电荷  百度翻译

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纯净的硅（中级）
5楼
发表于2024-7-11 01:40 只看该作者
 

 Iqbs - quiescent current for the high side driver circuitry

iqbs-高侧驱动器电路的静态电流

此帖出自模拟电子论坛
 
 
 
 
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