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[资料分享] PIC单片机内部EEPROM的操作

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一粒金砂(中级)

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发表于 2019-3-15 07:47 | 显示全部楼层 |阅读模式
//--------------------------------------------------------
//EEPROM字节写程序
//功能: 写一个字节到内部EEPROM
//入口: EEADR =地址
// EEDATA =数据
//--------------------------------------------------------
void write_eeprom ( void )
{
// while ( WR )     //等待上一次写操作结束
// {
//  asm ("clrwdt");    //喂狗
// }
EEPGD = 0 ;      //设置访问目标为EEPROM
WREN = 1 ;     //允许进行写操作
GIE = 0 ;        //禁止中断
EECON2 = 0x55 ;
EECON2 = 0xAA ;
WR = 1 ;         //启动一次写操作
GIE = 1 ;        //使能中断
WREN = 0 ;     //关闭写操作
}
//--------------------------------------------------------
//EEPROM字节读程序
//功能: 从内部EEPROM读一个字节
//入口: EEADR =地址
//出口: EEDATA =数据
//--------------------------------------------------------
void read_eeprom( void )
{
EEPGD = 0 ;      //设置访问目标为EEPROM
RD = 1 ;        //启动一次读操作
}

//--------------------------------------------------------
//FLASH字节写程序
//功能: 写一个字节到内部FLASH
//入口: EEADRH,EEADR =地址
// EEDATH,EEDATA =数据
//--------------------------------------------------------
void write_flash ( void )
{
EEPGD = 1 ;      //设置访问目标为FLASH
WREN = 1 ;     //允许进行写操作
GIE = 0 ;        //禁止中断
EECON2 = 0x55 ;
EECON2 = 0xAA ;
WR = 1 ;         //启动一次写操作
asm ("nop") ;
asm ("nop") ;
GIE = 1 ;        //使能中断
WREN = 0 ;     //关闭写操作
}

//--------------------------------------------------------
//FLASH字节读程序
//功能: 从内部FLASH读一个字节
//入口: EEADRH,EEADR =地址
//出口: EEDATH,EEDATA =数据
//--------------------------------------------------------
void read_flash( void )
{
EEPGD = 1 ;      //设置访问目标为FLASH
RD = 1 ;        //启动一次读操作
asm ("nop") ;
asm ("nop") ;

}


2.方法二:

void WriteEE(unsigned char addr,unsigned char data)        //写EEPROM
   {
    do{;}
    while(WR==1);                        //上一次写操作是否完成
    EEADR=addr;                            //EEPROM地址
    EEDATA=data;                        //准备写入EEPROM的数据
    EEPGD=0;                            //指向EEPROM数据储存器
    WREN=1;                                //使能写操作
    EECON2=0x55;                        //设置通用参数
    EECON2=0xAA;                        //设置通用参数
    WR=1;                                //开始写
    do{;}
    while(WR==1);                        //等待写操作完成
    WREN=0;                                //禁止写操作
   }
//
unsigned char ReadEE(unsigned char addr)                //读EEPROM
   {
    unsigned char num;
    do{;}
    while(RD==1);                        //上一次读操作是否完成
    EEADR=addr;                            //EEPROM地址为00H
    EEPGD=0;                            //指向EEPROM数据储存器
    RD=1;                                //开始读
    do{;}
    while(RD==1);                        //等待读操作完成
    num=EEDATA;                            //读出
    return(num);                        //返回读出的数
   }

说明:两个程序基本步骤是一致的。个中的差别是:

1、一程序中更严密,其中增加了对WR和RD标志位的判别,缺点是实时性较差。

2、而二程序中没有这个对WR和RD标志位的判别。那是因二将该判别的动作放在了上级程序中。也就是说,二在调用write_eeprom 函数之前,会先行判断WR。确信上次写操作已经结束后,才去调用新一次的写操作。这样做的目的是为了系统的实时性。


3.方法三:

PICC系统自带“ PIC.H”文件中,已经内嵌了这两个函数。!

以下是“ PIC.H”文件中的内容:

/***********************************************************************/
/****** EEPROM memory read/write macros and function definitions *******/
/***********************************************************************/
/* NOTE WELL:

   The macro EEPROM_READ() is NOT safe to use immediately after any
   write to EEPROM, as it does NOT wait for WR to clear.  This is by
   design, to allow minimal code size if a sequence of reads is
   desired.  To guarantee uncorrupted writes, use the function
   eeprom_read() or insert
while(WR)continue;
   before calling EEPROM_READ().
*/
#if EEPROM_SIZE > 0
#ifdef __FLASHTYPE
// macro versions of EEPROM write and read
#define EEPROM_WRITE(addr, value) \
do{ \
while(WR)continue;EEADR=(addr);EEDATA=(value); \
EECON1&=0x7F;CARRY=0;if(GIE)CARRY=1;GIE=0; \
WREN=1;EECON2=0x55;EECON2=0xAA;WR=1;WREN=0; \
if(CARRY)GIE=1; \
}while(0)
#define EEPROM_READ(addr) ((EEADR=(addr)),(EECON1&=0x7F),(RD=1),EEDATA)
#else // else doesn't write flash
#define EEPROM_WRITE(addr, value) \
do{ \
while(WR)continue;EEADR=(addr);EEDATA=(value); \
CARRY=0;if(GIE)CARRY=1;GIE=0; \
WREN=1;EECON2=0x55;EECON2=0xAA;WR=1;WREN=0; \
if(CARRY)GIE=1; \
}while(0)
#define EEPROM_READ(addr) ((EEADR=(addr)),(RD=1),EEDATA)
#endif

/* library function versions */
extern void eeprom_write(unsigned char addr, unsigned char value);
extern unsigned char eeprom_read(unsigned char addr);
#endif // end EEPROM routines





#include "pic.h"
unsigned char ReadEE(unsigned char addr);
void WriteEE(unsigned char addr,unsigned char data);
#define INTCONIT(adr,bit) ((unsigned)(&adr)*8+(bit))
static bit INTCON_7 @ INTCONIT(INTCON,7);
unsigned char data = 0x9;
void main()
{
data = 0;
WriteEE(0x01,0x99);
data = ReadEE(0x01);
while(1)
{
}

}
//读EEPROM
unsigned char ReadEE(unsigned char addr)                //读EEPROM
  {
    unsigned char num;
GIE=0;
    while(RD==1);                        //上一次读操作是否完成
    EEADR=addr;  //0x01                  //EEPROM地址为00H
    EEPGD=0;                             //指向EEPROM数据储存器
    RD=1;                                //开始读
    while(RD==1);                        //等待读操作完成
    num=EEDATA;                          //读出
    return(num);                         //返回读出的数
  }
//写EEPROM
void WriteEE(unsigned char addr,unsigned char data)        //写EEPROM
  {
   while(WR==1);                         //上一次写操作是否完成
   EEADR=addr;//0X02                     //EEPROM地址
   EEDATA=data; //0X05                   //准备写入EEPROM的数据
   EEPGD=0;                              //指向EEPROM数据储存器
   WREN=1;                               //使能写操作
   GIE=0;                                //禁止中断                              
   EECON2=0x55;                          //设置通用参数
   EECON2=0xAA;                          //设置通用参数
   WR=1;
   GIE=1;                                //开始写
   while(WR==1);                         //等待写操作完成
   if(EEIF==1)
     {
       EEIF=0;
     }                    
   WREN=0;                               //禁止写操作
  }



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