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[讨论] EEprom写入速度慢

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发表于 2018-12-18 08:20 | 显示全部楼层 |阅读模式
最近在用一款atmel的芯片,他的内部eeprom在第一次写入数据很快,但是后面写入同样位置数据就变得很慢,5K的数据大致要8s左右,感觉不太正常,大家觉得可能是什么原因造成的


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资源大师勋章

发表于 2018-12-18 08:36 | 显示全部楼层
你是单字节一个个写入的?还是页写?看程序里面有没有延时

点评

单字节写入,程序没延时。现在主要是纠结第一次写入快,后面写入慢。  详情 回复 发表于 2018-12-18 10:41


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一粒金砂(中级)

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 楼主| 发表于 2018-12-18 10:41 | 显示全部楼层
tiankai001 发表于 2018-12-18 08:36
你是单字节一个个写入的?还是页写?看程序里面有没有延时

单字节写入,程序没延时。现在主要是纠结第一次写入快,后面写入慢。


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发表于 2018-12-18 11:03 | 显示全部楼层
第二次写的时候把之前写的擦除了吧?

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他这个芯片操作很奇怪,从代码上看不出执行擦除命令。对于我的操作每次执行只有这2步while (hri_nvmctrl_get_SEESTAT_BUSY_bit(NVMCTRL));//写入数据需要进行忙检测 SmartEEPROM8[jpeg_header_addr+Index] = data;  详情 回复 发表于 2018-12-18 14:51
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技术导师勋章

发表于 2018-12-18 14:03 | 显示全部楼层
编程问题,仔细检查代码,注意比较后面的写入跟前面的写入在细节上有何不同。
上传了一些书籍资料,也许有你想要的:http://download.eeworld.com.cn/user/chunyang


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一粒金砂(中级)

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 楼主| 发表于 2018-12-18 14:51 | 显示全部楼层
白丁 发表于 2018-12-18 11:03
第二次写的时候把之前写的擦除了吧?

他这个芯片操作很奇怪,从代码上看不出执行擦除命令。对于我的操作每次执行只有这2步while (hri_nvmctrl_get_SEESTAT_BUSY_bit(NVMCTRL));//写入数据需要进行忙检测
SmartEEPROM8[jpeg_header_addr+Index] = data[Index];//测试写入是否成功 数据手册里压根没有说关于擦除的说明

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EEPROM手册不可能没有关于擦除的说明  详情 回复 发表于 2018-12-19 08:24
从代码上看不出擦除?那就是没擦除啊,芯片一般情况是没有问题的,怀疑的就是你的代码  详情 回复 发表于 2018-12-19 08:23


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发表于 2018-12-19 08:23 | 显示全部楼层
zhuzd 发表于 2018-12-18 14:51
他这个芯片操作很奇怪,从代码上看不出执行擦除命令。对于我的操作每次执行只有这2步while (hri_nvmctrl_ ...

从代码上看不出擦除?那就是没擦除啊,芯片一般情况是没有问题的,怀疑的就是你的代码
training


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发表于 2018-12-19 08:24 | 显示全部楼层
zhuzd 发表于 2018-12-18 14:51
他这个芯片操作很奇怪,从代码上看不出执行擦除命令。对于我的操作每次执行只有这2步while (hri_nvmctrl_ ...

EEPROM手册不可能没有关于擦除的说明

点评

官方给我解释了,其实就是他内部拿flash模拟的eeprom有问题,不建议一次性写入大数据。后来不用他eeprom.我直接写flash里了  详情 回复 发表于 2018-12-21 11:11
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 楼主| 发表于 2018-12-21 11:11 | 显示全部楼层
白丁 发表于 2018-12-19 08:24
EEPROM手册不可能没有关于擦除的说明

官方给我解释了,其实就是他内部拿flash模拟的eeprom有问题,不建议一次性写入大数据。后来不用他eeprom.我直接写flash里了


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