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[资料分享] 无线充电 MOS驱动 SN-D02

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一粒金砂(中级)

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发表于 2018-12-13 10:45 | 显示全部楼层 |阅读模式
SN-D2 是为使用双 N 沟道 VDMOS 功率管的桥式电 路设计的功率管栅极驱动 IC,可应用于直流有刷、 直流无刷电机以及类似无��电的驱动电路中。线充 芯片的输入信号 IN 和使能信号 EN 控制高边驱动电 路输出(HO)和低边驱动电路输出(LO)。芯片设计了 驱动输出信号(HO、LO)状态检测电路,将输出信号 的状态反馈到内部逻辑,可有效避免出现高边、低 边功率管同时导通的情况。此
外,内部还设计有约38ns 死区时间,功率管开关速度小于 100ns 的应用 中,单片机输出信号可以不考虑死区时间设置。 芯片内部没有设计欠压锁定电路,可自行通过单片 机灵活设置电压保护点。

lBOST 二极管击穿电压 50V
— 可安全应用于 36V 供电系统中VCC电压范围3V至20V
l高峰值电流输出能力
— 峰值输出电流 1.7A
— 带 2.2nF 负载上升时间 58ns
— 峰值吸入电流 2.3A
— 带 2.2nF 负载下降时间 19.7ns兼容3.3V、5V输入逻辑
l内部集成 50V 耐压自举二极管
— 无需外接自举二极管具备更优化的噪声控制能力
l输入引脚内置下拉电阻
— 集成 110K 对地下拉电阻
— 输入信号兼容 3.3V/5V CMOS 输入
l多种防共态导通技术
— 对输入信号进行逻辑运算,使能信号为高 时,HO/LO 输出电平相反,避免出现 HO、 LO同时输出高电平
— 内部设置 38ns 死区时间
— 检测 HO、LO 口状态,反馈给逻辑电路, 避免出现 HO、LO 同时输出高电平


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 楼主| 发表于 2018-12-13 10:51 | 显示全部楼层

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 楼主| 发表于 2018-12-13 10:52 | 显示全部楼层

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 楼主| 发表于 2019-1-3 11:06 | 显示全部楼层

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 楼主| 发表于 2019-3-5 11:33 | 显示全部楼层
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 楼主| 发表于 2019-10-21 21:17 | 显示全部楼层
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国产的驱动IC? 介绍一下实际应用案例  详情 回复 发表于 2019-10-22 08:47

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发表于 2019-10-22 08:47 | 显示全部楼层
无线充张生 发表于 2019-10-21 21:17 签到,多多学习学习

国产的驱动IC?

介绍一下实际应用案例


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 楼主| 发表于 2019-12-5 16:17 | 显示全部楼层
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 楼主| 发表于 2020-2-22 16:40 | 显示全部楼层
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