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GaN-on-Si半导体替代LDMOS

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一粒金砂(初级)

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发表于 2018-10-22 17:14 | 显示全部楼层 |阅读模式
数十年来,横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)技术在商业应用中的射频半导体市场领域起主导作用。如今,这种平衡发生了转变,硅基氮化镓(GaN-on-Si)技术成为接替传统LDMOS技术的首选技术。

与LDMOS相比,硅基氮化镓的性能优势已牢固确立——它可提供超过70%的功率效率,将每单位面积的功率提高4到6倍,并且可扩展至高频率。同时,综合测试数据已证实,硅基氮化镓符合严格的可靠性要求,其射频性能和可靠性可媲美甚至超越昂贵的碳化硅基氮化镓(GaN-on-SiC)替代技术。

硅基氮化镓器件工艺能量密度高、可靠性高,晶圆可以做得很大,目前在8英寸,未来可以做到10英寸、12英寸,晶圆的长度可以拉长至2米。硅基氮化镓器件具有击穿电压高、导通电阻低、开关速度快、零反向恢复电荷、体积小和能耗低、抗辐射等优势。理论上相同击穿电压与导通电阻下的芯片面积仅为硅的千分之一,目前能做到十分之一。

如果说硅基氮化镓器件有什么缺点,那就是单品的价格偏贵。但据了解,使用了这种器件后,所需要的配套外围电子元件、冷却系统成本大幅降低。虽然论单个器件成本,氮化镓比硅基器件贵,但是论系统整体成本,氮化镓与硅基器件的成本差距已经非常小,在大规模量产后可实现比硅器件更高性能与更低成本。查找半导体就到全球IC采购网:qic.com.cn

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