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分享 【转帖】让STM32的外部SRAM操作跟内部SRAM一样
SUNKE9 2016-7-22 14:32
让STM32的外部SRAM操作跟内部SRAM一样 2015-08-24 14:38:27来源:eefocus 关键字: STM32 外部SRAM 内部SRAM 前几天看到开源电子论坛(openedv.com)有人在问这个问题,我特意去做了这个实验,这样用外部SRAM就跟用内部SRAM一样,不用自己去申请内存,也不用考虑什么内存地址,一切让编译器自己去解决。 废话不多说,我直接拿原子哥的战舰开发板库函数版的外部SRAM实验来修改。在库函数的system_stm32f10x.c这个初始化文件当中其实就已经有外部SRAM的初始化,我们只要增加“#define DATA_IN_ExtSRAM 1”这句宏定义 view sourceprint? 1 #if defined (STM32F10X_HD) || (defined STM32F10X_XL) || (defined STM32F10X_HD_VL) 2 3 #define DATA_IN_ExtSRAM 1 4 #endif 再编译的时候就会把外部SRAM的初始化编译进去,初始化的代码大家可以去看文件中的void SystemInit_ExtMemCtl(void) 这个函数。然后我们在工程设置那里把外部SRAM地址增加进去,如下图 修改启动文件中的中的第39行,把__initial_sp 修改成 __initial_sp EQU 0x20000000 + Stack_Size 然后我们把Main中的testsram中的地址去掉,让编译器自己去指定地址 再把原子哥的外部SRAM的初始化注释掉,因为前面已经在System_init已经初始化了。其实这里我们可以把原子的SRAM.c文件去掉不用它了,我这里没去掉,其实只是为了能正常调用fsmc_sram_test()来测试实验结果 到这里我们可以编译了,下载到开发板,我们就可以看到实验结果我们继续深入点,看看testsram 这个已经初始化的数组编译在内部SRAM上,adc2[]这个未初始化的数组,数组的大小比较而且能在内部Sram编译得下的,却还是编译在外部SRAM上。 最后散列相关的知识,大家可以看看这里http://blog.csdn.net/lindabell/article/details/8957968#0-qzone-1-11984-d020d2d2a4e8d1a374a433f5 96ad1440 前面没有修改启动文件,其它变量全部在内部SRAM的时候,程序运行是没有问题,减小数组的时候程序运行不起来,修改前面的红字部分后,程序就可以运行起来,但是LCD偶尔正常,偶尔不正常,调试下感觉是延时的问题,没有再继续调试了
个人分类: STM32F|925 次阅读|0 个评论
分享 SRAM、DRAM;SDRAM、DDRSDRAM(DDR)、RDRAM;SARAM、DARAM的区别(摘)
iarhust 2014-1-17 17:00
一、SRAM(Static Random Access Memory)与DRAM(Dynamic Random Access Memory) 这是根据内存的工作原理划分出的两种内存。 DRAM表示动态随机存取存储器。这是一种以电荷形式进行存储的半导体存储器。DRAM中的每个存储单元由一个晶体管和一个电容器组成。数据存储在电容器中。电容器会由于漏电而导致电荷丢失,因而DRAM器件是不稳定的。为了将数据保存在存储器中,DRAM器件必须有规律地进行刷新。 而SRAM是静态的,因此只要供电它就会保持一个值。一般而言,SRAM 比DRAM要快,这是因为SRAM没有刷新周期。每个SRAM存储单元由6个晶体管组成,而DRAM存储单元由一个晶体管和一个电容器组成。相比而言,DRAM比SRAM每个存储单元的成本要高。照此推理,可以断定在给定的固定区域内DRAM的密度比SRAM 的密度要大。 SRAM常常用于高速缓冲存储器,因为它有更高的速率;而DRAM常常用于PC中的主存储器,因为其拥有更高的密度。 二、SDRAM(Synchronous DRAM)、DDRSDRAM(Dual Data Rate SDRAM)和RDRAM(Rambus DRAM) 这是计算机内存市场上对内存的分类方式,这些内存都属于上面提到的DRAM。 SDRAM SDRAM中文名字是“同步动态随机存储器”,意思是指理论上其速度可达到与CPU同步。自从Pentium时代以来,SDRAM就开始了其不可动摇的霸主地位。这种主体结构一直延续至今。成为市场上无可争议的内存名称的代名词。 台式机使用的SDRAM一般为168线的管脚接口,具有64bit的带宽,工作电压为3.3伏,目前最快的内存模块为5.5纳秒。由于其最初的标准是采用将内存与CPU进行同步频率刷新的工作方式,因此,基本上消除了等待时间,提高了系统整体性能。 大家都知道CPU的核心频率=系统外部频率×倍频的方式。而内存就是工作在系统的外部频率下,最初的66MHz的外部工作频率严重地影响了系统整体的工作性能,芯片组厂商又陆续制订出100MHz、133MHz系统外频的工作标准。这样SDRAM内存也就有了66MHz(PC66)、100MHz(PC100)和133MHz(PC133)三种标准规格。某些内存厂商为了满足一些超频爱好者的需求还推出了PC150和PC166内存,例如Kingmax和Micro等。 DDR SDRAM从名称上可以看出,这种内存在技术上,与SDRAM有着密不可分的关系,事实上,DDR内存就是SDRAM内存的加强版。它主要是利用时钟脉冲的上 升沿与下降沿传输数据,相当于原来两倍的频率的工作效率。 但这只是理论上,真正在实际应用中,DDR内存所带来的性能提升并不是很大,经测试在10%至15%之间。造成如此大的反差,主要原因在于目前 的处理器及主板结构还是依照着SDRAM进行设计的,还没有充分挖掘出DDR的潜能。 在133MHz下,DDR内存带宽可以达到133×64bit/8×2=2.1GB/s,200MHz外频标准出台后,其带宽更是达到了200×64bit/8×2=3.2GB/s的海量 (如图2所示)。目前DDR400内存已经问世,其强大的攻势不容忽视,发展前景非常广阔。 目前市场上已经有了针对DDR应用的处理器及配套主板,但是由于还是初级发展阶段,对于DDR内存的海量传输能力利用率不高,没能在实际应 用中体现出来。所以,这种内存技术的成熟应用期还没有到,目前只处于初级应用阶段。 DDR只是对SDRAM技术做了一些加强,所以生产SDRAM的生产线极容易改建于DDR的生产。不过DDR内存为保持较高的数据传输率,电气信号必须要 求能较快改变,因此采用了2.5伏的SSTL2标准,其管脚数为184线,与SDRAM在主板上无法实现兼容。 DDR SDRAM有着先天性的优势,因此,取代SDRAM只是时间上的问题,相信随着DDR内存体系的愈加成熟,与SDRAM体系结构间的性能会越拉越大 ,那时也正是DDR全面铺进千家万户的时刻。 DDR的外形和SDRAM极为相似,不过仔细观察还是有所不同。DDR使用的是184线的金手指,而普通SDRAM是168线,而且SDRAM底部金手指有两个缺 口,而DDR仅有一个缺口,另外DDR内存边缘用于固定的卡口有两个,而SDRAM为一个,最后就是DDR的内存存颗粒比SDRAM的要略薄。 RDRAM RDRAM原本是Intel强力推广的未来内存发展方向,其技术引入了RISC(精简指令集),依*高时钟频率(目前有300MHz、350MHz和400MHz三种规 格)来简化每个时钟周期的数据量。因此其数据通道接口只有16bit(由两条8bit的数据通道组成),远低于SDRAM的64bit,由于RDRAM也是采 用类似于DDR的双速率传输结构,同时利用时钟脉冲的上升与下降沿进行数据传输,因此在300MHz下的数据传输量可以达到300×16bit/8× 2=1.2GB/s,400MHz时可达到1.6GB/s,目前主流的双通道PC800MHz RDRAM的数据传输量更是达到了3.2GB/s。相对于133MHz下的SDRAM的 1.05GB/s,确实很有吸引力。 由于这种内存是全新的结构体系,需要兴建专用的内存生产线才能进行大批量生产,基本上无法对原有的生产线进行改建,这样初期产品的成 本肯定是难以与DDR进行竞争,而且生产这种内存还必须按产量向Rambus公司交纳一定的专利金,让各厂商缠足不前,在一定程度阻碍了RDRAM 的发展,不过更高带宽的双通道RDRAM不久将会出现。Rambus公司已经推出世界上第一条运行在1200MHz频率上的RDRAM,内存的峰值带宽将达到 4.8GHz/s。除此之外,Rambus还将推出一款运行在1066MHz下的RDRAM(如图3所示),它们的设计和制造工艺和从前的Rambus内存区别不是很大 。 三、SARAM(Single-access RAM)与DARAM(Dual-access RAM) 这是按CPU每个机器周期能对内存进行访问的次数来划分的两种内存。 SARAM在一个机器周期内只能被访问一次,而DARAM则在一个机器周期内能被访问两次。如TMS320C54x系列DSP中就配置有这两种内存
个人分类: 存储器|2691 次阅读|0 个评论

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