搜索

tag 标签: everspin

相关日志

分享 Everspin 16位并口并行MRAM存储芯片MR4A08BYS35
英尚微电子 2018-8-7 15:12
Everspin Technologies MR4A08BYS35 并行 MRAM 具有兼容 SRAM 的 35ns 读 / 写周期,并拥有出色耐久性。 Everspin Technologies MR4A08BYS35 为 2,097,152 字 x 8 位的 16,777,216 位非易失性并行存储器 (MRAM) 。 这款并口并行 MRAM 存储芯片数据保持期长达 20 年以上而不会丢失数据,并会在掉电时由低压抑制电路自动提供保护,以防止在非工作电压期间写入。 MR4A08BYS35 采用 400-mil 44 引脚薄小外形 TSOP2 封装,或 10 mm x 10 mm 48 引脚球栅阵列 (BGA) 封装(球中心距为 0.75mm )。温度范围在商业级( 0 至 +70 °C )、工业级( -40 至 +85 °C )与扩展级( -40 至 +105 °C )温度范围内工作,并在整个温度范围内保持高度可靠的数据存储能力。
个人分类: everspin案例|71 次阅读|2 个评论
分享 Everspin 16位并口并行MRAM存储芯片MR4A16BCMA35
英尚微电子 2018-5-24 09:28
Everspin MR4A16BCMA35 16Mb 并行 MRAM 具有兼容 SRAM 的 35ns 读 / 写周期,并拥有出色耐久性。 Everspin MR4A16BCMA35 为 1024 字 x16 位的 16,777,216 位磁阻随机存取存储器 (MRAM) 。 Everspin MR4A16BCMA35 由 1,048,576 字 x 16 位构成。对于这款并行 MRAM 来说,数据保持期长达 20 年以上而不会丢失,并会在掉电时由低压抑制电路自动提供保护,以防止在非工作电压期间写入。并行 MRAM 是大多数手机 、 移动设备、膝上机、 PC 等数字产品的存储器的潜在替代产品。从 MRAM 芯片技术的特性上来看,可以预计它将能解决包括计算机或手机启动慢、数据丢失、数据装载缓慢、电池寿命短等问题,明显改变消费者使用电子没备的方式。
个人分类: everspin案例|43 次阅读|1 个评论
分享 everspin 并行MRAM芯片MR4A16BMA35R
英尚微电子 2018-5-22 09:36
Everspin MR4A16BMA35R 容量: 16Mb 数据结构: 1Mb*16 总线速度: 35ns 工作电压: 3.3V 工作温度: C,M ( -0~+70 摄氏度) 16 位并行总线接口,数据保持期长达 20 年以上而不会丢失,并会在掉电时由低压抑制电路自动提供保护,以防止在非工作电压期间写入。这款 器件能够在商业级( 0 至 +70 ° C )、工业级( -40 至 +85 ° C )与扩展级( -40 至 +105 ° C )温度范围内工作,并在整个温度范围内保持高度可靠的数据存储能力。 MR4A16B 采用 48 引脚球栅阵列 (BGA) 小型封装和 54 引脚微小外形封装 (TSOPII) 。 特性 读取 / 写入周期时间: 35ns 真正无限次擦除使用 业内最长的寿命和数据保存时间 ---- 超过 20 年的非挥发特性 可取代多种存储器 ---- 集闪存、 SRAM 、 EEPROM 以及 BBSRAM 的功能于一身 采用 MRAM 取代电池供电的 SRAM 方案,解决了电池组装、可靠性以及责任方面的问题 掉电数据自动保护 具备商业级、工业级、扩展级和汽车级的可选温度范围 符合 RoHS 、兼容 SRAM 的 TSOPII 封装 符合 RoHS 、兼容 SRAM 的 BGA 封装(板面积缩小了 3 倍) 16 位并行总线接口 MRAM
个人分类: everspin案例|249 次阅读|0 个评论

Archiver|手机版|小黑屋|电子工程世界 ( 京ICP证 060456 )

GMT+8, 2019-8-20 22:44 , Processed in 0.036668 second(s), 9 queries , Gzip On, MemCache On.

Powered by EEWORLD电子工程世界

© 2019 http://bbs.eeworld.com.cn/

返回顶部