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分享 芯电易:紫光的半导体产业布局,国产集成电路航母正式启航
芯电易 2018-1-30 15:06
近几年,国内半导体产业进入快速发展时期,众多企业如雨后春笋,争当国产半导体产业的先锋。在国家政策支持和产业的趋势下,涌现了一批半导体先驱,其中的一个典型代表就是紫光集团。 紫光集团董事长赵伟国。(图/商业周刊/摄影曾千倚) 紫光集团的前身是清华大学科技开发总公司,在国家以集成电路为发展重点对象的时候开始发力,以“国际并购+自主创新”为双轮驱动,确立了主导为集成电路,逐步向泛IT、 移动互联、云计算与云服务等信息产业核心领域集中发展的战略。 一路收购与合作,跨向手机芯片领域 2013年,紫光集团打响了进军集成电路芯片产业的惊艳一枪——以17亿美元的价格收购了美国上市公司展讯通信,向“打造世界一流高科技企业”的目标和发展战略又近了一步。 收购展讯可谓是弥补了公司在射频芯片领域的不足,因为展讯通讯主要有基带和射频两大类芯片产品,芯片主要有集成度高、性能稳定、可靠性好、成本低的特点,基带类芯片是公司通过多年自主研发的成果。 紫光收购展讯,不仅一步跃入集成电路产业,随后一年智能手机的销量大增,也让展讯收益颇丰。而且从后期的拓展海内外市场,取得了优异的成绩也证明了清华紫光当时眼光的独到。 展讯被拿下不久,中国功率放大器、蓝牙与FM芯片领导供货商锐迪科又被紫光斥资9亿美元拿下。这是具有里程碑意义的一次收购,对双方甚至中国的半导体产业都尤为重要。锐迪科和展讯在技术和产品上的有效协同,将显着提高中国企业在全球移动通信芯片领域的市场地位。 2014年8月,Intel在移动4G上犯下重大失误,向紫光集团旗下展讯、锐迪科投资人民币 90 亿元,双方将联合开发基于英特尔架构和通信技术的手机解决方案。2017年推出的,使用Intel X86 Airmont 架构的14nm展讯SC9861G-IA芯片,就是双方的合作成果。 可以说,正是有了紫光集团整合了展讯和锐迪科,Intel的投资、先进架构、制造技术才会与紫光合作。这一连串的事件说明了紫光在集成电路产业发展道路上初战 告捷。 布局存储,目标指向未来 紫光在收购了展讯和锐迪科之后,就打起了存储产业的主意。但是对西部数据股权收购,以及入股矽品、力成和南茂都遭到失败之后,紫光开始了与国内企业联手的方式,进军存储产业。 2016年7月,紫光集团收购了武汉新芯的大部分股权,并注册成立了全新的长江存储,将武汉新芯变成其全资子公司。 该公司将以武汉新芯现有的12寸先进集成电路技术研发与生产制造能力为基础,继续拓展武汉新芯目前的物联网业务布局,并着力发展存储产业。这家新企业将担负中国存储产业崛起的重要任务。 赵伟国的野心并不止于此。在Flash方面,长江存储32层64G 3D NAND芯片今年将实现量产,这会是国内存储产业的一大突破,不仅如此,紫光对DRAM也是高度关注。 曾计划整合长江存储和紫光国芯,打造一个类似于三星这样的DRAM和NAND Flash并驾齐驱的存储巨头,但结果以流产告终。 这些波折也没有阻碍紫光国芯的成长,他们计划在今年发布第四代DRAM存储器芯片产品,产品的容量更大、集成度更高、读写速度更快。 当我们再次回首,这几年Flash和DRAM价格的高涨, 又一次证明了紫光眼力的老辣。而芯片只是紫光存储布局里小小的一环。随着人工智能、自动驾驶汽车、物联网和大数据等概念的兴起,对存储的需求在未来必然会迎来爆发性的增长,而HHD的衰落,更是给SSD带来了巨大的机遇,这也是紫光为啥要与光宝科技合作的重要原因,与西部数据合作的紫光西数,更是紫光存储战略的重要一步棋。 对新华三的收购,也是紫光的存储战略重要组成部分。至此,紫光在存储上的美好蓝图基本完成。 国产集成电路航母正式启航 从布局上看,紫光的理想很宏伟,也体现了紫光对振兴国产集成电路产业的决心。事实也是如此,紫光也是国内数一数二的集成电路巨头,但是他们仍然在突破,在精益求精,不断完善产业链,力争打造一个面面俱到的国产集成电路航母。 紫光布局的这几个领域,潜力都是巨大的,国家都很重视。站在这个角度看,紫光的未来一片光明,但是实际上困难重重。 首先是芯片方面,紫光只能在低端领域攻城略地,通过价格战挣辛苦钱,而高通、联发科在高中端大杀四方,挣得盆满钵满。而在联发科开始调整战略,主攻中低端,高通也与国内合作,拓展低端市场,这些对紫光来说,将会是重大的打击。 至于存储芯片方面,对比最近晋华项目被美光起;ICinsights总裁断言中国无法绕过三星、美光,SK海力士等企业的专利生产存储产品。这些论调从侧面证明了国产存储的举步维艰。 纵使前路曲折难行,也希望紫光能够坚持下来,成就一个“中国三星”一样的集成电路巨头,实现“中国芯”的梦想。
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分享 停下,只是为了走得更远
北夷蛮荒 2015-8-14 13:26
记得,在两年前,我接触到了电子,那时是看一个叫极客迷的网站起步的,只不过当时大部分都看不懂,之后的一天,偶然看到了一本书,那本书里边有好多的电子基础知识,我便让爸爸给我买回了大堆的电子元件,还有电烙铁和焊锡丝,当时不知道洞洞板在哪里买,于是就用不用的会员卡,搭建了自己的第一个电路,从那以后,我便迷上了电子,科技一类的东西。至于学习单片机编程的这个想法,我是在一个失败的电路中想到的,那时我废了好多张会员卡,也没有做出自己想要的电路,想到了用集成电路,但是当时的集成电路没有可以实现那种功能的,问完邻居后,才知道单片机可以实现这种功能后,厚着脸皮问楼下借了好多个单片机,拿回来后,看着那密密麻麻的引脚,我也不知道怎么弄,就在网上搜,搜到了资料、最小系统板等等,按照电路做出了最小系统板后,却发现单片机型号对不上,但因为我过于沉迷单片机,导致东西被我爸全没收了,最近才还我,那一年多的停下,只是为了我以后走得更远,所学的电子的知识,经过这么久的沉淀,终于有所领悟。无论我以后是否向这个方向发展,但我一定会为自己所爱好的东西而努力的·!
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分享 CPU卡发卡总结(一)
hanker510 2014-8-12 14:24
概述: CPU 卡包含一个微处理器,其功能相当于一台微型计算机。 CPU 卡内集成电路中包括中央处理器( CPU )、只读存储器( ROM )、随机存储器( RAM )、电可擦除可编程只读存储器( EEPROM )等。 使用 FMCOS ,由传输管理、文件管理、安全体系、命令解释四个功能模块组成。 传输管理:监督卡与终端之间的通信,保证数据正确地传输。 文件管理:区别于其他卡按区块存储数据的方式。 CPU 卡将用户数据以文件的形式存储在 EEPROM 中,保证访问文件的快速性和安全性。 安全体系:涉及对卡的鉴别与核实,对文件访问时的权限控制机制。 命令解释:根据接收到的命令检查各项参数是否正确,执行相应的操作。 以上这些概念性的东西都是卡与在文档中查到的,因此只说了大概,下面详细讲一下 CPU 卡发卡的具体流程。 安全机制: FMCOS 的每个目录都有一个安全状态寄存器,共有 16 中安全状态,用十六进制数 0-F 来表示。当前目录的安全状态在复位或者重新选择目录后被置为 0 ,在当前目录下的口令校验或者外部认证指令通过后更改安全状态的值为密钥规定的后续状态。 对于 FMCOS 的所有文件,在创建时都需要设置它的访问权限,包括读权限、写权限、使用权限、更改权限等。用 1 个字节的十六进制 XY 数表示。当该目录此时的安全状态值 =Y 并且 =X 时,则你拥有该文件相应的权限;若 X=0 ,则安全状态 =Y 时,你拥有该文件相应的权限;当 X=Y 时,安全状态 =Y 才会拥有该文件相应的权限。如果你不想让人让问某个文件,你可以将该文件的操作权限设为 XY ( YX ) 发卡: 所需设备: 1、 复旦 CPU 卡 2、 D8 非接触式读卡器 3、 ESAM 卡(发卡母卡,里面存储了需要装载到 CPU 卡内的所有密钥) 4、 PC 机 5、 开发语言使用 VB2005 发卡流程: 1、 连接读卡器,打开读卡器端口。 2、 寻卡, CPU 卡和 ESAM 卡上电复位,检查 CPU 卡和 ESAM 卡是否放在读卡器的正确位置。 3、 首先需要记住的是,无论是对 CPU 卡还是 ESAM 卡做任何操作,你都需要选择对应的目录。 4、 对 CPU 卡做外部认证: CPU 卡 MF 目录下的 Key 文件里有一个主控密钥,由该密钥的属性设置来决定你是否有权限对 CPU 卡进行卡片初始化、 MF 擦除以及卡结构修改等权限。 所谓外部认证,就是检查你是否有合法的权限对 CPU 卡进行各种操作。首先你需要拥有主控密钥,通常你并不知道主控密钥的内容(除非是未经初始化过的卡,初始主控密钥由卡片制造商决定,我用的卡初始密钥为全 F ),主控密钥储存在 ESAM 卡中,你需要通过 SAM 卡提供的分散指令(两次通用 DES 计算),得到主控密钥 CCk 。然后通过 CPU 卡提供的取随机数指令,取得 8 字节随机数 sRandom (这个随机数不仅返回给终端,而且还存储在 CPU 卡内某一位置),用 CCK 对 sRandom 做 DES 加密,得到结果 sRet 。然后使用外部认证指令将 sRet 发送到 CPU 卡, CPU 卡使用 MF 下的主控密钥对 sRet 做解密,将得到的结果与刚才送给终端的随机数比较,如果相同,则外部认证通过, CPU 卡的安全寄存器状态置为主控密钥设置的后续状态,同时你也拥有了该后续状态值所对应的操作的权限。如果认证不通过,错误次数减一,你可以使用另外的主控密钥继续做外部认证,成功则错误次数清 0 。千万记住错误次数不能超过主控密钥设置的允许最大错误次数(空卡默认是 3 次),否则将被锁卡。 因为我们不清楚要用来发卡的 CPU 卡是空卡还是已经初始化过的,所以在做外部认证的时候我们需要先使用厂商提供的初始密钥,再使用 ESAM 卡中的主控密钥。 5、 擦除 MF : MF 默认创建,你只能清除 MF 下的所有内容,不能删除 MF 。 6、 建立 MF 下的文件: MF 的目录结构包括: - 密钥文件 - 目录数据文件 - 基本文件 EF (包括二进制文件、记录文件等) - 目录文件 DF 密钥文件是你在创建一个目录时首先需要建立的,密钥文件里的各种密钥控制你对该目录以及该目录下内容的操作权限。 指令: 80E00000073F005001AAFFFF 文件标识: 0000 文件类型: 3F 文件空间: 0050 (关于文件空间的设置,参加: 文 件 空间 ) 读权限: 01 写权限: AA 密钥文件建立后,你需要向其中写入各种密钥,包括主控密钥、维护密钥等。 然后是创建目录数据文件,变长记录文件,说明 MF 下有哪些目录。 最后创建 EF 和 DF 7、 建立 3F01 目录下的文件 通用先建立 Key 文件并向 Key 文件中装载密钥 由于 3F01 是 ADF ,所以不需要创建目录数据文件 再建立电子钱包 / 存折文件、电子钱包交易明细记录文件等 电子钱包 / 存折文件、电子钱包交易明细文件都是由 PBOC 规定了如何来创建维护的。 8、 其他目录的创建方法同上 文件空间 文件头: 11 字节(文件类型 + 文件标识符 + 文件主体空间大小 + 权限 + 校验等) 每个基本文件所占的 EEPROM 空间 : 11 字节文件头 + 文件主体空间 定长、普通钱包和循环文件的主体空间: 记录个数 x 记录长度(密钥文件的记录长度为数据长度 +8 ) 每个 DF 所占的 EEPROM 空间: 11 字节 DF 头 +DF 下所有文件的空间和 +DF 名称长度
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分享 精彩贴片集成电路的焊接图文教程
qwqwqw2088 2014-5-15 11:05
焊接心得作为一名电子工程师,如果不会拿烙铁焊接,真的说不过去。而现在很多年青的工程师确确实实在忽略这方面动手能力的培养或很少有机会自己焊接板子,心里只想着学ARM,学Linux,而换个电阻、电容有时都要找焊接工人,更不用提TSOP等密集型的贴片IC了。所以在此希望我们大伙都重视这些基础方便的训练,自己能焊的尽量自己焊,学着焊,如果有条件可以多请教那些焊接工人,他们都会有自己的技巧和心得。 下载: 精彩贴片集成电路的焊接图文教程
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分享 数字万用表的常见故障有哪些
szkinghood 2014-1-13 10:25
  1.数字万用表电阻挡无法测量 首先从外观上检查电路板,在电阻挡回路中有没有连接电阻烧坏?若有,则必须立即更换;若没有,则要对每一个连接元件进行测量,有坏的及时更换;若外围都正常,则测量集成块损坏,必须更换。   2.数字 万用表 电压挡在测量高压时示值不准,或测量稍长时间示值不准甚至不稳定 此类故障大多是由于某一个或几个元件工作功率不足引起的。若在停止测量的几秒内,检查时发现这些元件发烫,这是由于功率不足而产生了热效应所造成的,则必须更换该元件(或集成电路)。   3.数字万用表电流挡无法测量 此类故障多数是由于操作不当引起的,可检查限流电阻和分压电阻是否烧坏?若烧坏,则应予以更换;然后检查与放大器的连接导线是否损坏?若损坏,则应重新连接好;若不正常,则更换放大器。   4.数字万用表示值不稳,有跳字现象 检查整体电路板是否受潮或有漏电现象?若有,则必须清洗电路板并做好干燥处理;输人回路中有无接触不良或虚焊现象(包括测试笔),若有,则必须重新焊接;检查有无电阻变质或刚测试后有无元件发生超正常的烫手现象,这种现象是由于其功率降低引起的,若有此现象,则应更换该元件。   5.数字万用表示值不准 这种现象主要是由测量电路中电阻或电容失效引起的,必须更换该电容或电阻。检查该电路中电阻的阻值(包括热反应中的阻值),若阻值改变或热反应变值,则应更换该电阻;检查A/D转换器的基准电压回路中的电阻、电容是否损坏?若损坏,则予以更换。
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分享 集成电路的驱动问题(综合)
iarhust 2014-1-12 15:36
作为一个初学者,对于集成电路的驱动问题,心中困惑了很久,自己在网上查找了一些网友的解释,综合了一下: 1、问:为什么说驱动能力不够是因为提供电流太小而不是电压?和分析驱动能力不够? 答:首先我们看到的驱动能力不够大部分是在你选择的负载(电阻、喇叭等)电压符合供电电压的。那么电压符合了只有看电流大小是否足够。是电压还是电流引起驱动能力不够,给你个判断方法,将后级电流开路测试电压是否符合负载电压。1符合但接上负载后电压就会降低这个就是电流驱动能力不够。如果电压不够则是驱动电压不够。 2、什么情况下要考虑启动能力驱动能力? 任何情况都要考虑包括数字信号处理的接口电路里。但是长说的驱动能力都是在功率驱动的情况下用的比较多。 3、怎么知道在集成电路里和平常IC驱动能力是否足够?和提高驱动能力的办法 在IC的资料里都有说明I/O口的驱动能力,根据你的负载所需要的驱动能力来判断这个I/C的I/O口是否符合如果不符合可以用三极管或者MOS管子放大提高驱动能力。 4、举例子:用一个IC驱动1个LED。IC输出电压5V,输出电流20mA。用来驱动一个白色LED。LED是20MA3.3V的。 那么5-3.3=1.7V20MA时 1.7/20MA=85R。这样我们可以在LED上串接一个电阻85R的正接I/O负对地就可以了。现在该为驱动300MA的3.3V的1WLED。I/O驱动能力就不够了需要提高驱动能力。分析输出5V输出20MA用三极管8050放大为200倍三极管集电极电流要在300MA计算得:300MA/200MA=1.5MA基极电流为1.5MA为了使三极管深度饱和选用10倍饱和电流。1.5*10=15MA5V/15MA=333R则选用330R的电阻加到三极管基极和I/O口上发射极对地集电极接LED-LED+接电阻(5-3.3=1.7/0.33=5.1R)5.1R/1W。接+5V就可以了。 5、时常听到别人说反相器、三态门(或者缓冲器)可以提高电流的驱动能力,我对此很疑惑,找到一个网友的解释: 驱动能力一般用“扇出”表示,意思就是单个逻辑门能够驱动(后面级联)的数字信号输入的最大个数。例如一个CMOS反相器(后面简称inv)的输出端最多能给其他5个逻辑门提供输入而没有失真,那么它的扇出就是5.而并不是像1楼说的那样“一个”inv的扇出大。就是说扇出大小和具体“哪个”门是没有关系的。 驱动能力的大小是和那个逻辑门(如反相器--是结构最简单的门)的尺寸相关的,尺寸就是NMOS和PMOS的宽长比(W/L)。如果两个inv,按照对称设计PMOS和NMOS 的宽长比之比为2:1,那么一个inv的NMOS的(W/L)为1,另一个(W/L)为5,则后者的驱动能力就是前者的5倍。因此,并不是像你问的那样,为什么inv可以增大驱动能力。只能说,大尺寸的inv有大的驱动能力,小尺寸的inv的驱动能力依然不行。其实所有其他逻辑门都是可以通过增加尺寸而提升驱动能力的,只不过inv结构最为简单,而且两个inv级联即可恢复原信号,所以才经常使用inv来增大驱动能力。 三态门可以看做是一个复杂一些的反相器电路,因此照上面的说法,可知其可以一定程度上提升驱动能力。
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